[发明专利]自聚焦微透镜阵列的制作系统及制作方法

权利要求书

1.一种自聚焦微透镜制作系统，其特征在于：包括依次排列的激光光源、半波片、滤波器、凸透镜、衰减器以及薄膜微型光学谐振腔，其中，所述薄膜微型光学谐振腔包括第一层金属薄膜、半导体薄膜和第二层金属薄膜，半导体薄膜位于第一层金属薄膜和第二层金属薄膜之间，使半导体薄膜与两层金属薄膜之间的界面处形成肖特基结；

激光光源发射的激光依次通过半波片、滤波器、凸透镜、衰减器垂直照射于所述第一层金属薄膜的表面；

激光光源与薄膜微型光学谐振腔满足以下关系：

2nd=mλ，其中，d为半导体薄膜的厚度，n为半导体薄膜的折射率，λ为入射激光的波长，m为正整数。

2.自聚焦微透镜阵列的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：

1）薄膜微型光学谐振腔的制备

在衬底上生长第一层金属薄膜，接着在第一层金属薄膜上生长一层半导体薄膜，最后在半导体薄膜上生长第二层金属薄膜，半导体薄膜与第一层金属薄膜和第二层金属薄膜的界面处形成肖特基结；

2）光照形成自聚焦微透镜阵列

把制备的薄膜微型光学谐振腔放置于激光光路中，激光经滤波、准直后，垂直聚焦在薄膜型光学谐振腔的表面，光从衬底一侧进入，从第二层金属薄膜一侧透出，照射设定时间后，得到自聚焦微透镜阵列；

激光光源与薄膜微型光学谐振腔满足以下关系：

2nd=mλ，其中，d为半导体薄膜的厚度，n为半导体薄膜的折射率，λ为入射激光的波长，m为正整数。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于：步骤1）中，所述衬底为BaF₂衬底，BaF₂衬底对光吸收少，透光波长范围宽。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于：步骤1）中，所述第一层金属薄膜为铜薄膜、金薄膜或银薄膜。

5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于：金属薄膜的厚度为10-30nm。

6.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于：步骤1）中，所述半导体薄膜为窄带隙硫属铅盐化合物半导体薄膜。

7.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于：所述半导体薄膜的厚度为（λ/10）-300nm，λ为入射光波长。

8.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于：步骤1）中，所述第二层金属薄膜为铜薄膜、金薄膜或银薄膜，第二层金属薄膜的厚度为10-30nm。

9.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于：步骤2）中，所述激光的功率和照射时间的乘积为0.2-0.5J/cm²。

10.权利要求2-9任一所述制作方法制作得到的自聚焦微透镜阵列。