[发明专利]宽带光谱光学测量装置及等离子体处理装置有效
申请号: | 201610956581.5 | 申请日: | 2016-10-27 |
公开(公告)号: | CN107993946B | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 万磊;张洁;倪图强 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 朱成之 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 宽带 光谱 光学 测量 装置 等离子体 处理 | ||
1.一种宽带光谱光学测量装置,其特征在于,设置在等离子体反应腔外部,该宽带光谱光学测量装置包含:
宽带光源,用于发射具有不同波长的入射光;
抛物面反射镜,用于对入射光进行准直,形成若干束平行光,通过等离子体反应腔顶部的光学窗口入射到晶圆的表面;
反射光接收组件,用于接收晶圆表面反射的光;
半透半反镜,位于所述的抛物面反射镜之后、反射光接收组件之前,若干束平行光经过半透半反镜的透射后再经光学窗口入射到晶圆的表面,晶圆表面反射的光经光学窗口后再经半透半反镜的反射后被反射光接收组件接收;
控制组件,与所述的反射光接收组件电连接,用于根据反射光接收组件接收的晶圆表面反射的光,确定晶圆刻蚀的终点。
2.如权利要求1所述的宽带光谱光学测量装置,其特征在于,所述的抛物面反射镜为90°离轴抛物面反射镜。
3.如权利要求1或2所述的宽带光谱光学测量装置,其特征在于,所述的抛物面反射镜表面镀有金属。
4.如权利要求1所述的宽带光谱光学测量装置,其特征在于,进一步包含一滤光模块,所述的滤光模块位于所述的抛物面反射镜之后、反射光接收组件之前。
5.如权利要求4所述的宽带光谱光学测量装置,其特征在于,所述的滤光模块位于抛物面反射镜与半透半反镜之间。
6.如权利要求4所述的宽带光谱光学测量装置,其特征在于,所述的滤光模块位于半透半反镜与反射光接收组件之间。
7.如权利要求4所述的宽带光谱光学测量装置,其特征在于,所述的滤光模块为滤光片。
8.如权利要求4所述的宽带光谱光学测量装置,其特征在于,所述的滤光模块为耦合在半透半反镜上的薄膜。
9.一种等离子体处理装置,其特征在于,包含:
由多个壁围成的反应腔,所述的反应腔的顶部设有一光学窗口;
设置在反应腔内的基座,用于固定晶圆;
设置在反应腔外部的宽带光谱光学测量装置,通过光学窗口入射若干束平行光至晶圆的表面,并通过光学窗口接收晶圆表面反射的光;
所述的宽带光谱光学测量装置包含:宽带光源,用于发射具有不同波长的入射光;抛物面反射镜,用于对入射光进行准直,形成若干束平行光,通过光学窗口入射到晶圆的表面;反射光接收组件,用于接收晶圆表面反射的光;半透半反镜,位于所述的抛物面反射镜之后、反射光接收组件之前,若干束平行光经过半透半反镜的透射后再经光学窗口入射到晶圆的表面,晶圆表面反射的光经光学窗口后再经半透半反镜的反射后被反射光接收组件接收;控制组件,与所述的反射光接收组件电连接,用于根据反射光接收组件接收的晶圆表面反射的光,确定晶圆刻蚀的终点。
10.如权利要求9所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述的抛物面反射镜为90°离轴抛物面反射镜。
11.如权利要求9或10所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述的抛物面反射镜表面镀有金属。
12.如权利要求9所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述的宽带光谱光学测量装置还包含一滤光模块,所述的滤光模块位于所述的抛物面反射镜之后、反射光接收组件之前。
13.如权利要求12所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述的滤光模块位于抛物面反射镜与半透半反镜之间。
14.如权利要求12所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述的滤光模块位于半透半反镜与反射光接收组件之间。
15.如权利要求12所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述的滤光模块为滤光片。
16.如权利要求12所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述的滤光模块为耦合在半透半反镜上的薄膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造