[发明专利]浮置栅极隔离件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610956796.7 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106997881A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 许世禄;谢炳邦;吕思贤;林玉珠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 隔离 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底；
设置在所述衬底上的隧穿氧化物层；
设置在所述隧穿氧化物层上的浮置栅极；
隔离层，所述隔离层覆盖所述浮置栅极的顶部并且在周边包围所述隧穿氧化物层和所述浮置栅极；以及
设置在所述隔离层上方的控制栅极。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述浮置栅极包括多晶硅层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述隔离层包括多层结构。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述隔离层包括依次堆叠的第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述控制栅极包括多晶硅层。
6.一种半导体器件，包括：
衬底，具有由设置在所述衬底中的至少一个隔离结构限定的至少两个有源区；
至少两个栅极结构，分别设置在所述有源区上，其中，所述栅极结构中的每个都包括：
隧穿氧化物层，设置在所述有源区上和所述至少一个隔离结构的第一部分上；
浮置栅极，设置在所述隧穿氧化物层上；和
隔离层，覆盖所述浮置栅极的顶部并且在周边包围所述隧穿氧化物层和所述浮置栅极；以及
控制栅极，在所述隔离层上和所述至少一个隔离结构的介于所述栅极结构之间的第二部分上延伸。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述至少一个隔离结构包括浅沟槽隔离结构。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述浮置栅极中的每个都包括多晶硅层。
9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述隔离层中的每个都包括多层结构。
10.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成至少一个隧穿氧化物层；
在所述至少一个隧穿氧化物层上形成至少一个浮置栅极；
形成至少一个隔离层，所述至少一个隔离层覆盖所述至少一个浮置栅极的顶部并且在周边包围所述至少一个隧穿氧化物层和所述至少一个浮置栅极；以及
在所述至少一个隔离层的顶部上方形成控制栅极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
