[发明专利]一种化学机械研磨机台研磨压力补偿方法有效
| 申请号： | 201610957345.5 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106378698B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 李雪亮 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/005 | 分类号： | B24B37/005;B24B37/04 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨垫 研磨压力 研磨盘 化学机械研磨机台 厚度变化 研磨 传感器测量 差值计算 实际行程 行程检测 压力调节 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种化学机械研磨机台研磨压力补偿方法，其特征在于，包括下列步骤：
在研磨过程中，根据研磨盘的行程检测研磨垫厚度变化；
针对研磨垫不同厚度，对研磨压力进行调节。
2.根据权利要求1所述的化学机械研磨机台研磨压力补偿方法，其特征在于，该方法通过设置于研磨盘上的传感器测量研磨盘的行程。
3.根据权利要求1所述的化学机械研磨机台研磨压力补偿方法，其特征在于，所述研磨垫厚度变化采用以下公式计算：ΔHp＝Hd2-Hd1，其中Hd1表示为更换新研磨垫时测量得到的研磨盘行程，Hd2表示为后续研磨过程中测量得到的研磨盘行程。
4.根据权利要求3所述的化学机械研磨机台研磨压力补偿方法，其特征在于，当ΔHp数值为1mm时，将研磨压力调节为4Psi。
5.根据权利要求3所述的化学机械研磨机台研磨压力补偿方法，其特征在于，当ΔHp数值为2mm时，将研磨压力调节为4.2Psi。
6.根据权利要求3所述的化学机械研磨机台研磨压力补偿方法，其特征在于，当ΔHp数值为3mm时，将研磨压力调节为4.5Psi。
7.根据权利要求3所述的化学机械研磨机台研磨压力补偿方法，其特征在于，当ΔHp数值为4mm时，将研磨压力调节为4.8Psi。
8.根据权利要求1所述的化学机械研磨机台研磨压力补偿方法，其特征在于，该方法采用的研磨速率为1000A/min。
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