[发明专利]有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201610957919.9 | 申请日: | 2016-10-27 |
公开(公告)号: | CN106611775B | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 吴在焕;金晓珍;朴知慧;裵寅浚;徐右吏;申晃燮 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显示器包括:
基板;
多个有机发光二极管,设置在所述基板上;
多个像素电路,设置在所述基板与所述多个有机发光二极管之间,其中,所述多个像素电路中的每个包括多个晶体管,所述多个晶体管中的每个包括电连接到各个有机发光二极管的有源图案;以及
屏蔽层,横穿所述多个像素电路并与所述多个晶体管的所述有源图案中的至少一个叠置,
其中,所述多个晶体管包括:第一晶体管,包括第一有源图案和设置在所述第一有源图案之上的第一栅电极,所述第一有源图案包括设置在所述基底之上的第一沟道;第二晶体管,包括电连接到所述第一有源图案的第二有源图案和设置在所述第二有源图案之上的第二栅电极;以及第三晶体管,包括第三有源图案和设置在所述第三有源图案之上的第三栅电极,所述第三有源图案包括被构造为电连接所述第一有源图案和所述第一栅电极的第三沟道,并且
其中,所述屏蔽层与所述第一有源图案的所述第一沟道和所述第三有源图案的所述第三沟道叠置,并且所述屏蔽层不与所述第二有源图案叠置。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述屏蔽层包括多条屏蔽线,其中,所述多条屏蔽线沿第一方向彼此分隔开并且沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中,所述屏蔽线彼此电连接。
4.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中,所述基板包括:
显示区域,包括所述多个有机发光二极管:以及
非显示区域,围绕所述显示区域,
其中,所述屏蔽层还包括在所述非显示区域中沿所述第一方向延伸并且电连接到所述多条屏蔽线的连接线。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器,其中,所述基板包括彼此相对的第一侧和第二侧,其中,所述多个有机发光二极管设置在所述第一侧上,其中,所述屏蔽层设置在所述第二侧上。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显示器还包括设置在所述基板的所述第二侧上的强化基板,其中,所述屏蔽层设置在所述基板与所述强化基板之间。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器,其中,所述基板还包括与所述强化基板的端部相邻的倒角部分,其中,所述强化基板的所述端部和所述连接线的一部分在所述有机发光二极管显示器的深度维度上在与所述倒角部分相邻的区域中不与所述基板叠置。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述屏蔽层设置在所述基板与所述有源图案之间。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述屏蔽层包括多条屏蔽线,所述多条屏蔽线中的至少两条具有不同的宽度。
10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述屏蔽层被构造为接收功率。
11.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显示器还包括与所述第一栅电极叠置的电容器电极,其中,所述电容器电极和所述第一栅电极一起形成电容器,并且其中,所述屏蔽层与所述电容器电极叠置。
12.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显示器还包括:
第一扫描线,设置在所述第二有源图案之上,与所述第二有源图案和所述第三有源图案叠置,并且电连接到所述第二栅电极和所述第三栅电极;
数据线,设置在所述第一扫描线之上,与所述第一扫描线交叉,并且电连接到所述第二有源图案;以及
驱动电源线,设置在所述第一扫描线之上且与所述数据线分隔开,其中,所述驱动电源线与所述第一扫描线交叉且电连接到所述第一有源图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的