[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件具有一有源区，其特征在于，所述半导体器件包括：

半导体衬底；

形成于所述半导体衬底上的栅氧化层，所述栅氧化层部分位于所述有源区内，并延伸出所述有源区；

覆盖所述栅氧化层的栅电极，所述栅电极包括第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极位于所述有源区内的栅氧化层上，所述第二栅电极位于所述有源区外的栅氧化层上，其中，所述第二栅电极与其下方的半导体衬底之间的功函数差大于所述第一栅电极与其下方的半导体衬底之间的功函数差。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅电极为第一掺杂类型的栅电极。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二栅电极为未掺杂的栅电极。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二栅电极为第二掺杂类型的栅电极。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一掺杂类型为N掺杂类型。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第二掺杂类型为P掺杂类型。

7.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一掺杂类型为P掺杂类型。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第二掺杂类型为N掺杂类型。

9.如权利要求6或8所述的半导体器件，其特征在于，所述栅电极的材质为多晶硅。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述N掺杂类型的栅电极为掺杂有硼的多晶硅，所述P掺杂类型的栅电极为掺杂有砷的多晶硅。

11.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底上定义有一有源区；

于所述半导体衬底上形成一栅氧化层，所述栅氧化层部分位于所述有源区内，并延伸出所述有源区；

于所述有源区内的栅氧化层上形成第一栅电极，于所述有源区外的栅氧化层上形成第二栅电极，所述第二栅电极与其下方的半导体衬底之间的功函数差大于所述第一栅电极与其下方的半导体衬底之间的功函数差。

12.如权利要求11所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一栅电极的方法包括：

于所述栅氧化层上形成一栅电极材料层；

对位于所述有源区内的栅电极材料层掺杂第一掺杂类型的杂质离子以形成第一栅电极。

13.如权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二栅电极的方法包括：

在形成所述栅电极材料层之后，对位于所述有源区外侧的栅电极材料层掺杂第二掺杂类型的杂质离子以形成第二栅电极。

14.如权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二栅电极的方法包括：

在形成所述栅电极材料层之后，位于所述有源区外侧的未掺杂的栅电极材料层直接作为所述第二栅电极。

15.如权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成第一栅电极之后，还包括：

对半导体器件的阈值电压进行检测，并根据检测结构判断是否存在有双峰效应；

若存在有双峰效应，则对位于所述有源区外侧的栅电极材料层掺杂第二掺杂类型的杂质离子以形成第二栅电极；若不存在双峰效应，则位于所述有源区外侧的未掺杂的栅电极材料层直接作为所述第二栅电极。

16.如权利要求13所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一栅电极和所述第二栅电极均采用离子注入工艺在所述栅电极材料层中掺杂杂质离子。