[发明专利]单晶生长炉热屏及其制造方法在审
| 申请号： | 201610959752.X | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN108018600A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 赵向阳;陈强;肖祥凯 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 炉热屏 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶生长炉热屏，包括屏体，所述屏体内形成有容置空间，其特征在于，所述屏体的材料为石英玻璃。
2.如权利要求1所述的单晶生长炉热屏，其特征在于，所述屏体的外表面和内表面涂有氢氧化钡涂层。
3.如权利要求2所述的单晶生长炉热屏，其特征在于，所述氢氧化钡涂层采用含有结晶水的氢氧化钡。
4.如权利要求2所述的单晶生长炉热屏，其特征在于，所述屏体内填充有隔热材料，形成有隔热层。
5.如权利要求4所述的单晶生长炉热屏，其特征在于，所述隔热层的材料为固态碳毡。
6.一种制造单晶生长炉热屏的方法，包括：
采用石英材料形成屏体。
7.如权利要求6所述的制造单晶生长炉热屏的方法，其特征在于，所述屏体的外表面和内表面涂有氢氧化钡涂层。
8.如权利要求7所述的制造单晶生长炉热屏的方法，其特征在于，所述氢氧化钡涂层采用含有结晶水的氢氧化钡。
9.如权利要求6所述的制造单晶生长炉热屏的方法，其特征在于，所述屏体内填充有隔热材料，形成有隔热层。
10.如权利要求9所述的制造单晶生长炉热屏的方法，其特征在于，所述隔热层的材料是固态碳毡。
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