[发明专利]一种ITO导电膜

说明书

技术领域

本发明涉及光学技术领域，具体涉及一种ITO导电膜。

背景技术

近年来，随着半导体制造技术的突飞猛进，诸如光电池、平面显示器、LED照明、触摸屏等新器件迅速发展起来并大量运用到我们的日常生活中。这些新器件都要用到透明导电膜作为受光面或者是发光面电极。 如果能提高这些器件中的透明导电膜的透过率，则光电池能增加对光的吸收从而转换出更多的电量、发光器件在不增加能耗的情况下可以增加亮度、触摸屏能提高亮度与清晰度；同样，如果能减小透明导电膜的电阻率，则可以减少光电池与发光器件的传输损耗，提高能源利用率。如今，光电池与各类发光器件每年的产量以亿计算，在能源资源日益紧缺的今天，提升透明导电膜透过率、减小其方阻，能节约大量能源，其经济价值与环保价值是不言而喻的。在常规的透明导电膜里，ITO（氧化铟锡混合物）膜是最常用，也是性能最好的一种。ITO是一种氧化锡与三氧化二铟的混合物，不仅导电性和透明性优于其他诸如：AZO、三氧化二铝等材料，而且具有其他透明导电膜所不具备的高硬度与高化学稳定性，所以，目前在大规模生产中，大多选用ITO作为透明导电膜的材料。在膜层设计中，要得到更好的透过率，空气、薄膜、基底的折射率必须进行良好的匹配，对单层单一折射率镀膜而言，如果镀膜折射率的平方等于空气折射率乘以基底折射率，那么理论上镀膜的反射率将会降至最低。

现有的ITO膜，ITO层与树脂基体结合力差，电阻率高、透过率差和化学稳定性差，不能满足生产要求。 此外，在单一折射率的单层膜生长工艺的情况下，要获得较低的反射率，必须使用较低折射率的高氧化ITO，这样会导致ITO膜的方阻极大地增加，从而导致器件工作时增加电能的浪费。

发明内容

基于此，针对上述问题，有必要提出一种ITO导电膜，其与树脂基体结合力强、透过率高、电阻率低、化学稳定性好。

本发明的技术方案是：

一种ITO导电膜，该导电膜结构从上到下依次排列设置有保护层、树脂基体、银纳米膜层、第一ITO导电膜层、第二ITO导电膜层、粘结层和基材层；所述第一ITO导电膜层和第二ITO导电膜层均为透明导电膜层，且两个导电膜层的折射率不同，所述第一ITO导电膜层的厚度为20-30nm,第二ITO导电膜层的厚度为10-20nm，所述树脂基体的厚度为110-140mm，所述银纳米膜层的厚度为45-55nm，所述粘结层的厚度为20-50nm。

在本技术方案中，采用保护层、树脂基体、银纳米膜层、第一ITO导电膜层、第二ITO导电膜层、粘结层和基材层从上到下依次排列的方式，保护了ITO导电膜在生产过程中不被刮花，同时通过选取适当ITO膜层组合对空气与基底材料的折射率进行良好的匹配，克服了传统单层ITO膜折射率高于基底材料折射率所导致反射率增加的问题，达到使用ITO膜非但不增加反射率，反而使成膜后的可见光波段平均反射率小于0.5%的效果，由于第二ITO膜层可以使用高折射率的低氧化ITO，使得本工艺制备的ITO薄膜的方阻低于2欧姆每方，远低于传统单层单折射率ITO膜的方阻，从而降低了电阻率，减少了电能的消耗。并且，ITO每次沉积后都会经历结晶过程，有效的促进了ITO层完善的结晶。综上，本技术方案所述的ITO导电膜与树脂基体结合力强、透过率高、电阻率低、化学稳定性好。

在一个优选地实施例中，所述树脂基体为厚度比为2-4:1的聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体和聚酰亚胺树脂基体压合而成，所述银纳米膜层位于于聚酰亚胺树脂基体下方。目的是利用纳米银的高渗透性和导电性，大大提高了银纳米膜层与树脂基体之间的结合力和本发明的导电性，同时聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体和聚酰亚胺树脂基体的比例为树脂基体厚度的最佳比例，对导电性的提高和结合力的增强起到最为显著的作用。

在进一步优选地实施例中，所述第一ITO导电膜层的折射率为2.0-2.2，所述第二ITO导电膜层的折射率为1.4-1.5。目的是采用双重折射率匹配与补偿的全新技术使得极大地消除ITO透明导电膜产品蚀刻纹明显的问题。

在进一步优选地实施例中，所述基材层为PET。目的是其具有优异的物理性能、化学性能及尺寸稳定性、透明性和可回收性，具有静电吸附功能，使该导电膜更具有稳定性，起到保护的作用。

在更进一步优选地实施例中，所述保护层为金属铜镍钛合金膜层。目的是对膜层起到保护作用。