[发明专利]半导体组件的回焊方法

权利要求书

1.一种半导体组件的回焊方法，其特征在于，所述回焊方法包含：

准备一半导体组件，所述半导体组件包含一基板与一晶片模组，所述晶片模组包含有一中介板、设置于所述中介板上的至少一晶片与设置在所述中介板与所述晶片之间的导电块，另所述中介板经由多个导电块连接于所述基板的顶面，其中，所述晶片模组的上表面具有多个导热区域；

提供一掩膜于所述半导体组件上方，所述掩膜包含有具不同透光率的多个透光部，所述多个透光部的位置分别对应于所述多个导热区域的位置；以及

由一发光加热装置输出一加热光束，所述加热光束通过所述掩膜的所述多个透光部而分别照射于所述晶片模组的所述多个导热区域，以热传导对所述晶片模组的中介板与所述基板之间的所述多个导电块进行回焊。

2.根据权利要求1所述的半导体组件的回焊方法，其特征在于，于准备所述半导体组件的步骤中，各所述导热区域对应一垂直导热路径，所述垂直导热路径为所述晶片模组的上表面至下表面的垂直路径，所述多个导热区域对应的垂直导热路径的长度彼此不同；

于提供所述掩膜于所述半导体组件上方的步骤中，所述掩膜的所述多个透光部的透光率与所述多个导热区域的垂直导热路径的长度具有正比关系。

3.根据权利要求2所述的半导体组件的回焊方法，其特征在于，所述掩膜的各所述透光部的图案与所对应的各所述导热区域的形状为相同。

4.根据权利要求2所述的半导体组件的回焊方法，其特征在于，所述晶片模组的所述多个导热区域包含：

一第一导热区域，是所述晶片模组中由上而下依序为所述至少一晶片与所述中介板的区域，所述第一导热区域对应一第一垂直导热路径，所述第一垂直导热路径的长度为所述至少一晶片的顶面至所述中介板的底面的垂直距离；

一第二导热区域，是所述晶片模组中由上而下仅有所述中介板的区域，所述第二导热区域对应一第二垂直导热路径，所述第二垂直导热路径的长度为所述中介板的顶面至所述中介板的底面的垂直距离；

所述第一垂直导热路径的长度大于所述第二垂直导热路径的长度。

5.根据权利要求3所述的半导体组件的回焊方法，其特征在于，所述晶片模组的所述多个导热区域包含：

一第一导热区域，是所述晶片模组中由上而下依序为所述至少一晶片与所述中介板的区域，所述第一导热区域对应一第一垂直导热路径，所述第一垂直导热路径的长度为所述至少一晶片的顶面至所述中介板的底面的垂直距离；

一第二导热区域，是所述晶片模组中由上而下仅有所述中介板的区域，所述第二导热区域对应一第二垂直导热路径，所述第二垂直导热路径的长度为所述中介板的顶面至所述中介板的底面的垂直距离；

所述第一垂直导热路径的长度大于所述第二垂直导热路径的长度。

6.根据权利要求1或2所述的半导体组件的回焊方法，其特征在于，所述发光加热装置为激光装置，所述加热光束为激光光束。

7.根据权利要求3所述的半导体组件的回焊方法，其特征在于，所述发光加热装置为激光装置，所述加热光束为激光光束。

8.根据权利要求4所述的半导体组件的回焊方法，其特征在于，所述发光加热装置为激光装置，所述加热光束为激光光束。

9.根据权利要求5所述的半导体组件的回焊方法，其特征在于，所述发光加热装置为激光装置，所述加热光束为激光光束。