[发明专利]开关元件

权利要求书

1.一种开关元件，具有：

电子传输层；

电子供给层，其位于所述电子传输层之上，且与所述电子传输层形成异质结；

源极，其与所述电子供给层相接；

漏极，其在与所述源极分离的位置处与所述电子供给层相接；

第一栅电极，其位于所述电子供给层的上部且在从上侧进行俯视观察时位于所述源极与所述漏极之间，并且在所述电子供给层的上部处与所述漏极电连接；

第二栅电极，其位于所述电子供给层的上部且在从上侧进行俯视观察时被配置于所述第一栅电极与所述漏极之间；

第一p型层，其位于所述第一栅电极与所述电子供给层之间，且与所述电子供给层相接；

第二p型层，其位于所述第二栅电极与所述电子供给层之间，且与所述电子供给层相接，

所述开关元件的导通电阻与所述第一栅电极和所述漏极之间的电阻相比而较低，

所述第二栅电极与对所述第一栅电极和所述漏极进行电连接的路径相连结，

所述第二p型层和所述电子传输层之间的所述电子供给层的厚度与所述第一p型层和所述电子传输层之间的所述电子供给层的厚度相比而较厚。

2.如权利要求1所述的开关元件，其中，

所述第二p型层的p型杂质浓度与所述第一p型层的p型杂质浓度相比而较低。

3.如权利要求1所述的开关元件，其中，

所述电子供给层为AlGaN，

所述第二栅电极的下部的所述电子供给层的Al/Ga比例与所述第一栅电极的下部的所述电子供给层的Al/Ga比例相比而较高。

4.如权利要求1所述的开关元件，其中，

具有电阻层，所述电阻层位于所述电子供给层的上部且在从上侧进行俯视观察时位于所述第一栅电极与所述漏极之间并且与所述第一栅电极以及所述漏极相比电阻率较高，

对所述第一栅电极与所述漏极进行电连接的所述路径中的至少一部分为所述电阻层。

5.如权利要求4所述的开关元件，其中，

还具有第一绝缘层，

所述电阻层具有第一电阻层和第二电阻层，

所述第一绝缘层对所述第一电阻层进行覆盖，

所述第二电阻层位于所述第一绝缘层之上，

在从上侧进行俯视观察时，所述第一电阻层的一部分与所述第二电阻层的一部分重叠，

在所述第一电阻层与所述第二电阻层重叠的位置处，设有贯穿所述第一绝缘层而对所述第一电阻层与所述第二电阻层进行连接的接触孔，

对所述第一栅电极与所述漏极进行电连接的所述路径中的至少一部分为所述第一电阻层、所述第二电阻层以及所述接触孔。

6.如权利要求5所述的开关元件，其中，

在从上侧进行俯视观察时，所述第二电阻层在未设置所述接触孔的位置处具有与所述第一电阻层重叠的部分。

7.如权利要求4所述的开关元件，其中，

还具有：

第二绝缘层，其位于所述电阻层之上；

配线，其位于所述第二绝缘层之上。

8.如权利要求4所述的开关元件，其中，

在从上侧进行俯视观察时，所述第一栅电极与所述漏极之间的所述电子供给层的上表面的整个区域与所述电阻层重叠。

9.如权利要求1所述的开关元件，其中，

对所述第一栅电极与所述漏极进行电连接的所述路径在所述漏极的周围以漩涡状而延伸。