[发明专利]用于中子捕获治疗的射束整形体

权利要求书

1.一种用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于，所述射束整形体包括中子产生装置、缓速体、扰动元和射束出口，所述中子产生装置容纳在所述射束整形体内用于产生中子，所述中子从中子产生装置到射束出口的方向形成中子射束，所述中子射束限定射束轴线，所述缓速体紧邻所述中子产生装置并且用于将所述中子射束中的快中子调整为超热中子，其中，射束整形体调整中子射束能谱的过程中产生伽马射线，所述扰动元位于缓速体和射束出口之间，用于通过所述中子射束并降低通过射束出口的中子射束中伽马射线的含量。

2.如权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于，所述扰动元由铼、铪、镥、铅、铈、锌、铋、铽、铟、锑、镓、镧、碲、锡、硒、钇、铝、锶、钡、硅、锆、铷、钙、硫、铁、碳、铍、镁、磷、铬、锂、钠和镍单质中的一种、两种或多种混合的材料构成。

3.如权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于，所述扰动元内部结构为致密结构或具有孔隙的结构。

4.如权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于，所述缓速体和扰动元外部围绕反射体，所述反射体用于将偏离中子射束的的中子反射回所述中子射束以提高中子射束强度，所述反射体由中子反射能力强的材料组成。

5.如权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于，所述扰动元为圆柱体，并且所述圆柱体的轴线与所述射束轴线重合或平行。

6.如权利要求5所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于，所述圆柱体的底面半径为5～6cm，所述圆柱体的高为3～5cm。

7.如权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于，所述含有伽马射线的中子射束通过扰动元时，扰动元分别通过光电效应吸收伽马射线、通过康普顿效应散射伽马射线或通过电子对效应将伽马射线转换为正负电子对而降低中子射束中伽马射线的含量，经扰动元散射的伽马射线遇到反射体后经过再次吸收或反射进一步衰减。

8.如权利要求2所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于，当扰动元由铼、铪、镥、铅、铈、锌、铋、铽、铟或锑中任一单质构成，所述伽马射线占中子射束的比重至少降低30％。

9.如权利要求2所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于，通过扰动元的中子射束的假体射束品质中，有效治疗深度≥10.69cm，有效治疗剂量比≥5.54,30RBE-Gy的治疗深度≥6.77cm。

10.如权利要求1-9中任一项所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于，快中子能区大于40keV，超热中子能区在0.5eV到40keV。