[发明专利]动态随机存取存储器结构及其制造方法

说明书

本发明涉及一种动态随机存取存储器结构及其制造方法，所述方法包括下列步骤。提供基底，其中基底包括存储单元区与周边电路区。于存储单元区中形成动态随机存取存储器。动态随机存取存储器包括耦接至电容结构的电容接触窗。于周边电路区中形成具有金属栅极结构的晶体管结构。金属栅极结构是通过使用虚拟栅极的制程所形成。电容接触窗与虚拟栅极是由同一层导体层所形成。所述方法可有效地将动态随机存取存储器的制程与具有金属栅极结构的晶体管结构的制程进行整合。

技术领域

本发明是有关于一种存储器结构及其制造方法，且特别是有关于一种动态随机存取存储器结构及其制造方法。

背景技术

在传统的动态随机存取存储器结构的周边电路区中，晶体管元件的栅极材料采用掺杂多晶硅，因此容易产生多晶硅空乏效应(poly depletion effect)，而降低元件效能。

因此，目前发展出一种以金属栅极结构来取代掺杂多晶硅栅极的晶体管元件，其可有效地防止多晶硅空乏效应产生。

然而，如何有效地将动态随机存取存储器的制程与具有金属栅极结构的晶体管结构的制程进行整合为目前业界亟待解决的课题。此外，如何有效地降低动态随机存取存储器的制程复杂度也是目前业界不断努力的目标。

发明内容

本发明提供一种动态随机存取存储器结构的制造方法，其可有效地将动态随机存取存储器的制程与具有金属栅极结构的晶体管结构的制程进行整合。

本发明提供一种动态随机存取存储器结构，其可有效地防止存储单元区中的构件在形成过程中造成周边电路区的晶体管结构受到损害。

本发明提出一种动态随机存取存储器结构的制造方法，包括下列步骤。提供基底，其中基底包括存储单元区与周边电路区。于存储单元区中形成动态随机存取存储器。动态随机存取存储器包括耦接至电容结构的电容接触窗。于周边电路区中形成具有金属栅极结构的晶体管结构。金属栅极结构是通过使用虚拟栅极的制程所形成。电容接触窗与虚拟栅极是由同一层导体层所形成。

本发明提出一种动态随机存取存储器结构，包括基底、动态随机存取存储器与护环结构。基底包括存储单元区。动态随机存取存储器位于存储单元区中。动态随机存取存储器包括耦接至电容结构的电容接触窗。护环结构围绕存储单元区的边界。电容接触窗与护环结构是源自于同一层导体层。

基于上述，在本发明所提出的动态随机存取存储器结构的制造方法中，由于电容接触窗与虚拟栅极是由同一层导体层所形成，因此可有效地将动态随机存取存储器的制程与具有金属栅极结构的晶体管结构的制程进行整合，且可有效地降低制程复杂度。

此外，由于本发明所提出的动态随机存取存储器结构具有围绕存储单元区边界的护环结构，因此可有效地防止存储单元区中的构件在形成周边电路区的晶体管结构的过程中受到损害。另外，由于电容接触窗与护环结构是源自于同一层导体层，因此可有效地降低制程复杂度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1H为本发明一实施例的动态随机存取存储器结构的制造流程剖面图。

图2为图1C的上视图。

图3为本发明另一实施例的动态随机存取存储器结构的剖面图。

附图标号说明：

100：基底；

102：隔离结构；

104：埋入式导线；

104a：埋入式导体层；

104b：顶盖层；