[发明专利]半导体器件及其制造方法、存储单元和电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，包括沟槽；

栅电介质层，形成在沟槽的表面之上；

栅电极，位于沟槽中并且在比衬底的上表面低的水平处，其中，栅电极包括第一掩埋部分和第二掩埋部分，其中，第二掩埋部分形成在第一掩埋部分之上；以及

第一掺杂区和第二掺杂区，它们形成在衬底中并且在栅电极的第一侧和第二侧之上，其中，第一掺杂区和第二掺杂区中的每个与第二掩埋部分重叠，

其中，第一掩埋部分包括具有第一功函数的第一阻障，

其中，第二掩埋部分包括具有第二功函数的第二阻障，

其中，第二功函数低于第一功函数，

其中，第一阻障包括具有20at％或者更少的硅的金属硅氮化物，以及

其中，第二阻障包括具有30at％或者更多的硅的金属硅氮化物。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一阻障具有比硅的中间能隙功函数高的功函数，以及

其中，第二阻障具有比硅的中间能隙功函数低的功函数。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一阻障包括具有20at％或者更少的硅的钛硅氮化物，以及

其中，第二阻障包括具有30at％或者更多的硅的钛硅氮化物。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一阻障包括具有20at％或者更少的硅的钽硅氮化物，以及

其中，第二阻障包括具有30at％或者更多的硅的钽硅氮化物。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一掩埋部分还包括第一电极，

其中，第一电极包括含金属材料，以及

其中，第一阻障位于第一电极与栅电介质层之间。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第二掩埋部分还包括第二电极，

其中，第二电极包括含金属材料或者N型掺杂多晶硅，以及

其中，第二阻障位于第二电极与栅电介质层之间。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一功函数调整内衬，位于第一掩埋部分与栅电介质层之间。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，第一功函数调整内衬包括产生偶极以使第一阻障的第一功函数增加并且能够引起高功函数特征的材料。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，第一功函数调整内衬包括第一金属氧化物，以及

其中，第一金属氧化物的氧原子的面密度高于栅电介质层的氧原子的面密度。

10.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，栅电介质层包括氧化硅，以及

其中，第一功函数调整内衬包括氧化铝。

11.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，栅电介质层包括氧化硅，以及

其中，第一功函数调整内衬包括氧化钛、氧化铪、氧化锆、氧化镁或者它们的组合。

12.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：

第二功函数调整内衬，位于第二掩埋部分与栅电介质层之间。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，

其中，第二功函数调整内衬包括第二金属氧化物，以及

其中，第二金属氧化物的氧原子的面密度低于栅电介质层的氧原子的面密度。

14.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，栅电介质层包括氧化硅，以及

其中，第二功函数调整内衬包括氧化钇、氧化镧、氧化锗、氧化镥、氧化锶或者它们的组合。