[发明专利]柔性显示器及其制造方法有效
申请号: | 201610971969.2 | 申请日: | 2016-10-28 |
公开(公告)号: | CN106992197B | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 崔洛奉;金美成 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;G06F3/041 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 显示器 及其 制造 方法 | ||
柔性显示器及其制造方法。一种柔性显示器,该柔性显示器包括:触摸电极阵列,所述触摸电极阵列包括:缓冲层,在所述缓冲层中具有通孔;触摸焊盘金属电极,所述触摸焊盘金属电极在所述通孔中;多个触摸图案,所述多个触摸图案在所述缓冲层上;以及柔性印刷电路,所述柔性印刷电路与所述触摸焊盘电极接触。可选地,所述柔性印刷电路还可以接触层压到所述触摸电极阵列的有机发光阵列基板上的薄膜晶体管焊盘。
技术领域
本公开涉及一种显示装置及其制造方法。更具体地说,本公开涉及这样一种柔性显示器,其被配置为使得触摸电极阵列的焊盘电极在柔性显示器的外部布线,并且焊盘电极直接接合到柔性显示器外部的柔性印刷电路(FPC)。由此,防止了接合应力的发生。
背景技术
平面显示装置的示例包括液晶显示器(LCD)、有机发光显示器、等离子体显示面板(PDP)、量子点显示器、场发射显示器(FED)和电泳显示器(EPD)。这些显示器通常需要在其上显示图像的平面显示面板。这种平面显示面板包括:彼此耦接的一对透明绝缘基板,在该对明绝缘基板之间设置有具有固有发光材料、偏振材料或另一光学材料层。
近年来,对平板显示面板的需求日益增加,最小化空间以抵消显示装置日益增加的总体尺寸。此外,期望柔性平板显示装置。
在下文中,将参照附图描述现有技术的柔性显示器。
图1是示出现有技术的柔性显示器的截面图。
如图1所示,现有技术的柔性显示器包括:薄膜基板1、第一粘合剂层5、下基膜10、缓冲层15、薄膜晶体管阵列20、有机发光二极管阵列30、形成为覆盖有机发光二极管阵列30的钝化层40、第二粘合剂层50,触摸电极阵列70和上基底膜60,这些元件从下到上顺序地定向。
现有技术的柔性显示器形成如下。在下基膜10上形成缓冲层15、薄膜晶体管阵列20、有机发光二极管阵列30和钝化层40。触摸电极阵列70形成在上基膜60的表面上。以第二粘合剂层50位于钝化层40与触摸电极阵列70之间的状态层压钝化层40和触摸电极阵列70。
因为触摸电极阵列70形成在上基底膜60内部,所以在上基底膜60的位于与触摸电极阵列70相同的层的表面上形成触摸焊盘电极70a。触摸焊盘电极70a通过各向异性导电膜(ACF)82电连接到位于触摸焊盘电极70a下方并通过与薄膜晶体管阵列20相同的工艺形成的辅助焊盘电极20a,该各向异性导电膜82包括导电球(未示出)。辅助焊盘电极20a连接到柔性印刷电路(未示出),从该柔性印刷电路将信号施加到辅助焊盘电极20a。
除了导电球之外,可以用显示出高粘合性的密封剂81来填充各向异性导电膜82。
此外,薄膜基板1通过第一粘合剂层5粘附到下基膜10。薄膜基板1用于在上基膜60和下基膜10层压之后保护柔性显示器。
在制造现有技术的柔性显示器的方法中,执行用于使各向异性导电膜82中的导电球断裂的加压固化处理,以便将触摸焊盘电极70a和辅助焊盘电极20a互连。在该处理中,需要高压。在上基膜60和下基膜10由软塑料膜(即柔性塑料膜)制成的情况下,上基膜60和下基膜10可以根据所使用的压力而变形。高压导致具有电子结构的膜的变形并导致显示器中的缺陷。此外,由于各向异性导电膜82位于上基膜60与下基膜10之间,所以高压被施加到上基膜60和下基膜10的整个表面。因此,随着柔性显示器变成大尺寸,需要更大的设备在上基膜60与下基膜10之间施加均匀的热和压力。因此,在现有技术中,在接合处理期间的处理能力和设备方面存在限制。
具体地说,为了增加显示灵活性和薄度的目的,基膜10和60的厚度持续减小。然而,当使用薄的基膜时,导电连接构件上的基膜在加压固化处理中具有低电阻,由此减少了产量并降低制造效率。
发明内容
因此,本发明针对一种柔性显示器及其制造方法,其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的