[发明专利]一种扩展波长近红外探测器缓冲层的生长方法

权利要求书

1.一种扩展波长近红外探测器缓冲层的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：在第一温度下采用金属有机化学气相沉积工艺或分子束外延工艺在InP衬底上生长In_xGa_1-xAs低温层、InAs_yP_1-y低温层或In_zAl_1-zAs低温层中的一种，所述第一温度为400～600℃；

S2：将所述InP衬底的温度升高到第二温度，并对所述In_xGa_1-xAs低温层、InAs_yP_1-y低温层或In_zAl_1-zAs低温层进行退火处理，其中，所述第二温度高于所述第一温度；

S3：在第三温度下在所述In_xGa_1-xAs低温层、InAs_yP_1-y低温层或In_zAl_1-zAs低温层上生长In_wGa_1-wAs组分渐变层、InAs_wP_1-w组分渐变层或In_wAl_1-wAs组分渐变层中的一种，其中，所述第三温度高于所述第二温度；

所述In_xGa_1-xAs低温层的组分x的取值范围为0.53～1，所述InAs_yP_1-y低温层的组分y的取值范围为0.53～1，所述In_zAl_1-zAs低温层的组分z的取值范围为0～1。

2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，在所述步骤S1之前，所述生长方法还包括：

在第四温度和预定压力下清除所述InP衬底表面的杂质，所述第四温度为800～1000℃，所述预定压力为0～100mbar。

3.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，所述InP衬底的晶向为[001]。

4.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述In_xGa_1-xAs低温层、In_zAl_1-zAs低温层或InAs_yP_1-y低温层的厚度为0～200nm。

5.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述第二温度为550～650℃，所述退火处理的持续时间为30s～300s。

6.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述In_wGa_1-wAs组分渐变层、InAs_wP_1-w组分渐变层或In_wAl_1-wAs组分渐变层的组分w的取值范围为初始值～扩展波长匹配值。

7.根据权利要求1或6所述的生长方法，其特征在于，所述第三温度为600～700℃，所述In_wGa_1-wAs组分渐变层、InAs_wP_1-w组分渐变层或In_wAl_1-wAs组分渐变层的厚度小于3μm。