[发明专利]通过部分熔化升高的源极-漏极的晶体管的脉冲激光退火工艺

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

半导体衬底，其包括被设置在栅极堆叠之下的沟道区；以及

半导体源极/漏极，其耦合至所述沟道区并被设置在所述沟道区的相对端上，其中，所述栅极堆叠被设置于所述相对端之间，其中，所述半导体源极/漏极包括熔化深度以上的超活化掺杂剂区和所述熔化深度以下的活化掺杂剂区，与所述活化掺杂剂区的活化掺杂剂浓度相比，所述超活化掺杂剂区具有较高的活化掺杂剂浓度，其中，所述超活化掺杂剂区内的所述较高的活化掺杂剂浓度是常数，而活化掺杂剂区内的所述活化掺杂剂浓度不是常数。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述熔化深度不接触所述半导体衬底。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述超活化掺杂剂区是利用第一半导体材料形成的，并且所述活化掺杂剂区是利用第二半导体材料形成的，其中所述第一半导体材料不同于所述第二半导体材料。

4.根据权利要求3所述的晶体管，其中所述第一半导体材料的熔点比所述第二半导体材料的熔点低。

5.一种晶体管，包括：

半导体衬底，其包括被设置在栅极堆叠之下的沟道区；以及

半导体源极/漏极区，其耦合至所述沟道区并被设置在所述沟道区的相对侧上，其中，所述栅极堆叠被设置于所述相对侧之间，其中，所述半导体源极/漏极区包括被设置在第二半导体材料上的第一半导体材料，其中所述第一半导体材料的熔点比所述第二半导体材料的熔点低，并且其中所述第一半导体材料具有的掺杂剂浓度是常数，而所述第二半导体材料具有的掺杂剂浓度不是常数。

6.根据权利要求5所述的晶体管，其中，所述第一半导体材料与所述第二半导体材料相比具有较高的活化掺杂剂浓度。

7.根据权利要求5所述的晶体管，其中，所述半导体衬底是利用第三半导体材料形成的，其中所述第三半导体材料不同于所述第二半导体材料。

8.根据权利要求5所述的晶体管，其中，所述第一半导体材料和所述第二半导体材料形成在所述沟道区之上。

9.根据权利要求5所述的晶体管，其中，所述第二半导体材料被形成为与所述沟道区直接相邻。

10.一种晶体管，包括：

半导体衬底，其包括被设置在栅极堆叠之下的沟道区，所述半导体衬底是利用第一半导体材料形成的；

形成在所述衬底中并位于所述沟道区的相对侧上的凹陷；

源极/漏极区，其设置在所述凹陷上并耦合至所述沟道区，所述源极/漏极区是利用第二半导体材料形成的，所述第二半导体材料不同于所述第一半导体材料，所述半导体源极/漏极区包括熔化深度以上的超活化掺杂剂区和所述熔化深度以下的活化掺杂剂区，与所述活化掺杂剂区的活化掺杂剂浓度相比，所述超活化掺杂剂区具有较高的活化掺杂剂浓度，其中，所述超活化掺杂剂区内的所述较高的活化掺杂剂浓度是常数，而活化掺杂剂区内的所述活化掺杂剂浓度不是常数。

11.根据权利要求10所述的晶体管，其中，所述熔化深度不接触所述半导体衬底。

12.根据权利要求10所述的晶体管，其中，所述超活化掺杂剂区是利用第三半导体材料形成的，并且所述活化掺杂剂区是利用所述第二半导体材料形成的，其中所述第三半导体材料不同于所述第二半导体材料。

13.根据权利要求12所述的晶体管，其中所述第三半导体材料的熔点比所述第二半导体材料的熔点低。