[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括：相邻的器件区和隔离区；分别在所述器件区和隔离区衬底上形成栅极结构；在所述衬底上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述栅极结构侧壁；去除所述隔离区栅极结构，在所述牺牲层中形成第一开口；对所述第一开口底部的衬底进行刻蚀，在所述隔离区衬底和牺牲层中形成第二开口；在所述第二开口中形成隔离结构；形成隔离结构之后，去除所述牺牲层；在所述栅极结构两侧的衬底中形成源漏掺杂区。所述形成方法能够使所述隔离结构与邻近隔离结构的器件区栅极结构之间的间距等于器件区相邻栅极结构之间的间距，从而改善半导体结构性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着半导体器件集成度的提高，晶体管的关键尺寸不断缩小，关键尺寸的缩小意味着在芯片上可布置更多数量的晶体管，进而可以提高器件的性能。然而，随着器件面积以及器件之间的距离不断缩小，问题也随之产生。

为了减小不同晶体管之间的影响，不同晶体管之间的衬底中需要形成隔离结构。形成隔离结构之后，在隔离结构两侧形成晶体管。

形成所述晶体管的步骤包括：在所述隔离结构两侧的衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的衬底中形成凹槽，所述凹槽位于所述隔离结构两侧；在所述凹槽中形成源漏掺杂区。所述隔离结构用于实现隔离结构两侧衬底中的源漏掺杂区之间的隔离。

然而，现有的半导体结构的形成方法容易影响所形成半导体结构性能。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，能够改善半导体结构性能。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括：相邻的器件区和隔离区；分别在所述器件区和隔离区衬底上形成栅极结构；在所述衬底上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述栅极结构侧壁；去除所述隔离区栅极结构，在所述牺牲层中形成第一开口；对所述第一开口底部的衬底进行刻蚀，在所述隔离区衬底和牺牲层中形成第二开口；在所述第二开口中形成隔离结构；形成隔离结构之后，去除所述牺牲层；在所述栅极结构两侧的衬底中形成源漏掺杂区。

可选的，所述隔离结构包括：隔离层和位于所述隔离层上的保护层；形成所述隔离结构的步骤包括：在所述第二开口中形成隔离层；在所述隔离层上形成保护层，所述保护层的材料与所述隔离层的材料不相同。

可选的，所述牺牲层的材料与所述隔离层的材料相同。

可选的，所述隔离层表面高于或齐平于所述牺牲层表面；在所述隔离层上形成保护层的步骤包括：对所述隔离层进行刻蚀，去除部分厚度的隔离层，在所述牺牲层中形成第三开口；在所述第三开口中形成保护层。

可选的，对所述隔离层进行刻蚀之前，还包括：在所述牺牲层上形成掩膜层，所述掩膜层暴露出所述隔离层。

可选的，对所述隔离层进行刻蚀的工艺包括：干法刻蚀或湿法刻蚀。

可选的，形成所述保护层的工艺包括：化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或原子层沉积工艺。

可选的，所述牺牲层的材料与所述隔离结构的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

可选的，所述保护层的材料为氧化硅或氮氧化硅。

可选的，所述牺牲层的材料与所述隔离结构的材料不相同。

可选的，去除所述隔离区栅极结构的步骤包括：在所述器件区栅极结构上形成图形化的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜对栅极结构进行刻蚀，去除所述隔离区栅极结构，形成第一开口。

可选的，所述牺牲层的材料为硅、锗或硅锗；所述隔离结构的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。