[发明专利]晶圆切割方法在审
| 申请号： | 201610980207.9 | 申请日： | 2016-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN107871707A | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 涂家荣;陈志隆;廖文祥;魏忠祥;刘永吉 | 申请（专利权）人： | 颀邦科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司11019 | 代理人： | 寿宁,张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切割 方法 | ||
1.一种晶圆切割方法，其特征在于，其包含：
提供晶圆，该晶圆具有多个晶粒及金属层，各该晶粒具有表面，相邻两个该晶粒之间具有切割道，该金属层形成于该切割道；以及
进行切割步骤及触压步骤，在该切割步骤中是以刀具沿着该切割道切割该金属层，使该晶圆形成多个切割槽，且经切割的该金属层残留有多个金属残留段于上述多个晶粒，在该触压步骤中是以刷具的接触部沿着该切割槽触压各该金属残留段，以避免各该金属残留段凸出于各该晶粒的该表面。
2.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，其中当该刷具的该接触部触压各该金属残留段时，各该金属残留段断离该晶粒或弯折至该切割槽中。
3.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，其中该切割步骤及该触压步骤为同时进行。
4.如权利要求3所述的晶圆切割方法，其特征在于，其中沿着该刀具的切割方向，该刷具的该接触部设置于该刀具后方，且该刀具与该接触部位于相同切割道。
5.如权利要求3所述的晶圆切割方法，其特征在于，其中沿着该刀具的切割方向，该刷具的该接触部设置于该刀具侧边，且该刀具与该接触部位于不同切割道。
6.如权利要求5所述的晶圆切割方法，其特征在于，其中该刷具的该接触部与该刀具之间至少间隔一个切割道。
7.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，其中该触压步骤在该切割步骤完成后进行。
8.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，其中该晶圆设置于载台的承载面，该刀具具有末端，该末端与该承载面之间具有第一高度，该刷具的该接触部具有接触端，该接触端与该承载面之间具有第二高度，在进行该切割步骤及该触压步骤前，该第一高度不小于该第二高度。
9.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，其中该刷具的该接触部由软性材料制成，该接触部在该触压步骤中抵触各该晶粒的该表面及该切割槽，而产生形变。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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