[发明专利]光电元件及用于制造所述光电元件的方法

说明书

本发明提供了一种光电元件及用于制造所述光电元件的方法。根据本公开的示例性实施方式的光电元件包括透明导电层，所述透明导电层包括由金属制成的第一材料和由金属卤化物制成的第二材料。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年11月20日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2015-0163056号的优先权和权益，所述申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及光电元件及其制造方法。

背景技术

一般地，已广泛利用铟锡氧化物(ITO)层(其中锡被掺杂到氧化铟)作为用作显示装置(比如液晶显示器或有机发光二极管显示器)或光电元件(比如太阳能电池)的电极材料的透明导电层。

对于铟锡氧化物(ITO)层，可能应用到刻蚀工艺，并且所述铟锡氧化物(ITO)层具有优异的与基板紧密接触的性质(例如，优异的基板附着性)以及优异的透明度和优越的导电性。

ITO层可通过溅射法形成，然而，如果在由有机材料制成的有机材料层上形成ITO层，可能破坏所述有机材料层(例如，通过溅射法)。

该背景技术部分中公开的以上信息仅用来强化对本公开的背景技术的理解，并且因此其可含有的信息不形成对于本领域普通技术人员来说在本国已知的现有技术。

发明内容

根据本公开的一个或多个实施方式的方面涉及包括新型透明导电层的光电元件及其制造方法。

根据本公开的示例性实施方式的光电元件包括透明导电层，所述透明导电层包括由金属制成的第一材料和由金属卤化物制成的第二材料。

所述第一材料的所述金属的价电子数可等于或大于所述第二材料中包括的所述金属卤化物的金属的价电子数。

所述第一材料的所述金属可包括选自由以下组成的组中的至少一种：第1族元素、第2族元素、镧系元素、锕系元素、过渡金属和后过渡金属。

所述第二材料的所述金属卤化物可包括选自由以下组成的组中的至少一种：第1族元素的卤化物、第2族元素的卤化物、镧系卤化物、锕系卤化物、过渡金属的卤化物和后过渡金属的卤化物。

所述第一材料的所述金属可包括选自由以下组成的组中的至少一种：Yb、Tm、Sm、Eu、Gd、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Tb、Dy、Ho、Er、Lu、Ac、Th和Pa。