[发明专利]形成薄膜的方法、制造集成电路器件的方法和形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201610986776.4 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107026072B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 林载顺;朴圭熙;曹仑延;克雷门.兰萨洛;卢沅泰;J.利弗莱格;李柱澔 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;乔治·克劳德方法的研究开发液气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 薄膜 方法 制造 集成电路 器件 半导体器件 | ||
本文中公开了形成薄膜的方法、制造集成电路器件的方法和形成半导体器件的方法。所述形成薄膜的方法包括通过使用铌前体成分和反应物形成含铌的膜，所述铌前体成分包括由式(1)表示的铌化合物，其中R各自独立地为H、C1‑C6烷基或R13Si，其中R1各自独立地为H或C1‑C6烷基，Cp为环戊二烯基，和L选自甲脒化物(NR,R'‑fmd)、脒化物(NR,R',R″‑amd)、和胍化物(NR,R',NR″,R″′‑gnd)。式(1)Nb(R5Cp)2(L)。
相关申请的交叉引用
将2015年11月30日在韩国知识产权局提交且标题为“使用铌化合物形成薄膜和制造集成电路器件的方法”的韩国专利申请No.10-2015-0169058全部引入本文中作为参考。
技术领域
实施方式涉及使用铌化合物形成薄膜和制造集成电路器件的方法。
背景技术
由于电子技术的发展，近年来半导体器件的小型化(down-scaling)正在迅速地进行，因此构成电子器件的图案正在变得更精细。
发明内容
实施方式涉及形成薄膜的方法，所述方法包括通过使用铌前体成分和反应物在基底上形成含铌的膜，所述铌前体成分(组合物)包括由式(1)表示的铌化合物：
式(1)
Nb(R5Cp)2(L)
其中，在式(1)中，
R各自独立地为H、C1-C6烷基或R13Si，其中R1各自独立地为H或C1-C6烷基，
Cp为环戊二烯基，和
L为甲脒化物(甲脒基)、脒化物(脒基)、或胍化物(胍基)。
实施方式还涉及制造集成电路器件的方法，所述方法包括：在基底上形成下部结构体，和通过使用铌前体成分和反应物在所述下部结构体上形成含铌的膜，所述铌前体成分包括由式(1)表示的铌化合物：
式(1)
Nb(R5Cp)2(L)
其中，在式(1)中，
R各自独立地为H、C1-C6烷基或R13Si，其中R1各自独立地为H或C1-C6烷基，
Cp为环戊二烯基，和
L为甲脒化物、脒化物、或胍化物。
实施方式还涉及形成半导体器件的方法，所述方法包括：蒸发(气化)由式(1)表示的铌化合物并且将蒸发的铌化合物供应至基底，和使所述铌化合物与含氮反应物反应以在所述基底上形成导电的铌氮化物层，
Nb(R5Cp)2(L) 式(1)
其中，在式(1)中，
R各自独立地为H、C1-C6烷基或R13Si，其中R1各自独立地为H或C1-C6烷基，
Cp为环戊二烯基，和
L为甲脒化物、脒化物、或胍化物。
附图说明
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