[发明专利]在正交补偿电极上具有电容增强的MEMS装置

权利要求书

1.一种用于电容增强的MEMS装置，其特征在于，包括：

耦合到基板并在第一方向上纵向朝向的固定电极；

耦合到可移动质量系统并从所述可移动质量系统延伸的可移动电极，所述可移动电极在所述第一方向上纵向朝向，所述可移动电极在垂直于所述第一方向的第二方向上通过间隙与所述固定电极间隔开；以及

挤压区，其在所述第二方向上从所述固定和可移动电极中的一个电极向所述固定和可移动电极中的另一个电极延伸。

2.根据权利要求1所述的MEMS装置，其特征在于：

所述固定和可移动电极之间的所述间隙是展现第一宽度的第一间隙；以及

所述可移动电极被配置成与所述质量系统一起进行振荡运动，以使得所述挤压区通过展现第二宽度的第二间隙与所述固定和可移动电极中的另一个电极周期性地间隔开，所述第二宽度小于所述第一宽度。

3.根据权利要求2所述的MEMS装置，其特征在于：

所述第一宽度是由制造工艺限制的所述固定和可移动电极之间的最小可允许的间距，所述制造工艺用于形成所述固定和可移动电极；以及

所述第二宽度小于所述最小可允许的间距。

4.根据权利要求2所述的MEMS装置，其特征在于，当所述可移动电极并未进行所述振荡驱动运动时，所述挤压区不位于所述固定和可移动电极之间。

5.根据权利要求2所述的MEMS装置，其特征在于，在所述振荡运动的第一半周期期间，根据所述振荡运动的幅度，所述可移动电极移动一段距离，并且所述挤压区在所述第一方向上呈现大于所述距离的长度。

6.根据权利要求2所述的MEMS装置，其特征在于，所述第二宽度是所述第一宽度的大约二分之一。

7.根据权利要求1所述的MEMS装置，其特征在于，所述挤压区是从所述固定电极向所述可移动电极延伸的第一挤压区，并且所述角速率传感器另外包括在所述第二方向上从所述可移动电极向所述固定电极延伸的第二挤压区。

8.根据权利要求7所述的MEMS装置，其特征在于，所述可移动电极被配置成与所述可移动质量系统一起进行所述振荡运动，以使得所述第一和第二挤压区周期性地位于所述固定和可移动电极之间。

9.根据权利要求8所述的MEMS装置，其特征在于，所述第一和第二挤压区周期性地位于所述固定和可移动电极之间，同时不与彼此接触。

10.根据权利要求8所述的MEMS装置，其特征在于：

所述固定和可移动电极之间的所述间隙是展现第一宽度的第一间隙；以及

当所述第一和第二挤压区位于所述固定和可移动电极之间时，所述第一挤压区通过第二间隙与所述可移动电极间隔开，并且所述第二挤压区通过第三间隙与所述固定电极间隔开，所述第二和第三间隙中的每一个间隙展现第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度。

11.根据权利要求1所述的MEMS装置，其特征在于，所述固定电极是第一固定电极，所述可移动电极是第一可移动电极，所述挤压区是第一挤压区，所述间隙是第一间隙，所述第一固定电极从耦合到所述基板的锚结构的第一侧面延伸，并且所述MEMS装置另外包括：

从所述锚结构的第二侧面延伸并在所述第一方向上纵向朝向的第二固定电极，所述第二侧面与所述第一侧面相对；

耦合到所述可移动质量系统并从所述可移动质量系统延伸的第二可移动电极，所述第二可移动电极在所述第一方向上纵向朝向，所述第二可移动电极在所述第二方向上通过所述第一间隙与所述第二固定电极间隔开，所述第一间隙展现第一宽度；以及

第二挤压区，其在所述第二方向上从所述第二固定和第二可移动电极中的一个电极向所述第二固定和第二可移动电极中的另一个电极延伸，其中所述第一和第二可移动电极被配置成进行反相振荡驱动运动，以使得所述第一挤压区通过展现第二宽度的第二间隙与所述第一固定和所述第一可移动电极中的另一个电极周期性地间隔开，并且所述第二挤压区通过展现所述第二宽度的第三间隙与所述第二固定和第二可移动电极中的另一个电极周期性地间隔开，所述第二宽度小于所述第一宽度。