[发明专利]高集成半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体存储器件的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底上以第一恒定间距形成包括桩的线图案形的有源区；

以第二恒定间距形成多个字线以与所述有源区交叉；

对在所述字线中的每个的两侧处的所述有源区执行杂质的离子注入，以在与所述桩相对应的注入的有源区中形成源极区域，并在其余的注入的有源区中形成漏极区域；

在暴露在所述字线之间的所述源极区域和所述漏极区域上形成下电极；

在所述字线的侧壁和所述下电极上形成间隔件绝缘层；

刻蚀所述间隔件绝缘层，以选择性地暴露出在所述漏极区域上的所述下电极；以及

在所述暴露出的下电极和所述间隔件绝缘层上形成储存层。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述有源区的步骤包括以下步骤：

在所述半导体衬底上形成牺牲层；

在所述牺牲层上形成具有与所述牺牲层不同的刻蚀选择性的第一半导体层；

刻蚀所述第一半导体层和所述牺牲层，以暴露出与所述源极区域相对应的所述半导体衬底；

在所述第一半导体层和所述半导体衬底上形成具有与所述牺牲层不同的刻蚀选择性的第二半导体层；以及

去除所述牺牲层。

3.如权利要求2所述的方法，还包括以下步骤：

在去除了所述牺牲层的空间中填充绝缘材料。

4.一种制造半导体存储器件的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底上形成牺牲层和线图案形的有源区；

以恒定间距形成多个字线以与所述有源区交叉；

选择性地去除所述牺牲层；

在所述字线之间的空间中以及在去除了所述牺牲层的空间中形成绝缘层；

在所述字线之间的所述有源区上选择性地刻蚀所述绝缘层，以暴露出所述有源区；

刻蚀暴露出的有源区和在所述暴露出的有源区之下的所述绝缘层，以形成暴露出所述半导体衬底的源接触孔；

在所述源接触孔中形成源极桩，以与所述有源区连接；

在所述源极桩中和所述字线中的每个的两侧处的有源区中离子注入杂质，以在源极桩中形成源极区域并在有源区中形成漏极区域；

在所述源极区域和所述漏极区域上形成下电极；

在所述下电极上形成间隔件绝缘层；

刻蚀所述间隔件绝缘层以选择性地暴露出在所述漏极区域上的所述下电极；以及

在所述间隔件绝缘层和所述暴露出的下电极上形成储存层。