[发明专利]一种提高掺杂类金刚石膜层质量的方法有效
申请号: | 201610990847.8 | 申请日: | 2016-11-10 |
公开(公告)号: | CN106756868B | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 廖斌;欧阳晓平;张旭;吴先映;韩然;张丰收 | 申请(专利权)人: | 北京师范大学 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/50 |
代理公司: | 北京亿腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11309 | 代理人: | 陈霁 |
地址: | 100875 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 屏蔽装置 掺杂 膜层 等离子体化学气相沉积 等离子体 等离子体出口 正对 开口 类金刚石膜层 膜层结合力 膜层均匀性 工件旋转 工件圆周 离子沉积 不均匀 等电位 沉积 屏幕 生产 | ||
1.一种提高掺杂类金刚膜层质量的方法,所述金刚膜层基于弧光放电技术的磁过滤等离子体沉积方法制备而成;其特征在于,在工件上等离子体化学气相沉积掺杂类金刚膜层之前,在所述工件周围设置屏蔽装置,所述屏蔽装置具有开口,且所述开口正对等离子体出口;在等离子体化学气相沉积掺杂类金刚膜层过中,所述屏蔽装置不随所述工件旋转,但与所述工件等电位;
通过所述屏蔽装置,只接收正对磁过滤出口位置的等离子体密度强的离子沉积;等离子体密度分布极度不均匀位置的工件周围不进行沉积,直接被屏蔽装置所屏蔽;
其中,所述屏蔽装置开口的开口角度可调,且可调角度范围为60°~180°,进而控制膜层硬度及摩擦系数和/或精确控制膜层中元素的比例。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京师范大学,未经北京师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610990847.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:科尔维尔氏菌属嗜冷新菌种及其培养方法与应用
- 下一篇:一种不锈钢加工用抛光液
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的