[发明专利]一种提高掺杂类金刚石膜层质量的方法有效

专利信息
申请号: 201610990847.8 申请日: 2016-11-10
公开(公告)号: CN106756868B 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 廖斌;欧阳晓平;张旭;吴先映;韩然;张丰收 申请(专利权)人: 北京师范大学
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/50
代理公司: 北京亿腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11309 代理人: 陈霁
地址: 100875 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 屏蔽装置 掺杂 膜层 等离子体化学气相沉积 等离子体 等离子体出口 正对 开口 类金刚石膜层 膜层结合力 膜层均匀性 工件旋转 工件圆周 离子沉积 不均匀 等电位 沉积 屏幕 生产
【权利要求书】:

1.一种提高掺杂类金刚膜层质量的方法,所述金刚膜层基于弧光放电技术的磁过滤等离子体沉积方法制备而成;其特征在于,在工件上等离子体化学气相沉积掺杂类金刚膜层之前,在所述工件周围设置屏蔽装置,所述屏蔽装置具有开口,且所述开口正对等离子体出口;在等离子体化学气相沉积掺杂类金刚膜层过中,所述屏蔽装置不随所述工件旋转,但与所述工件等电位;

通过所述屏蔽装置,只接收正对磁过滤出口位置的等离子体密度强的离子沉积;等离子体密度分布极度不均匀位置的工件周围不进行沉积,直接被屏蔽装置所屏蔽;

其中,所述屏蔽装置开口的开口角度可调,且可调角度范围为60°~180°,进而控制膜层硬度及摩擦系数和/或精确控制膜层中元素的比例。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京师范大学,未经北京师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610990847.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top