[发明专利]形成半导体器件的方法以及半导体器件有效
申请号: | 201610991127.3 | 申请日: | 2016-11-08 |
公开(公告)号: | CN107039502B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 安东·毛德;英戈·穆里;约翰内斯·鲍姆加特尔;伊里斯·莫德;弗兰克·迪特尔·普菲尔施;汉斯-约阿希姆·舒尔策 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/739 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;苏虹 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 半导体器件 方法 以及 | ||
1.一种形成半导体器件的方法,所述方法包括:
在半导体本体的第一表面处形成辅助结构;
在所述半导体本体上在所述第一表面处形成半导体层;
在所述第一表面处形成半导体器件元件;以及
从与所述第一表面相反的第二表面去除所述半导体本体至少达到所述辅助结构的朝向所述第二表面取向的边缘,以及其中通过磨削加工从所述第二表面去除所述半导体本体,以及所述磨削加工在距离所述辅助结构的朝向所述第二表面取向的边缘一定垂直距离处停止,其中通过蚀刻工艺进一步去除所述半导体本体至所述辅助结构的朝向所述第二表面取向的边缘。
2.根据权利要求1所述的方法,其中形成所述辅助结构包括:
以小于100keV的离子注入能量将氧离子通过所述第一表面注入所述半导体本体。
3.根据权利要求2所述的方法,其中氧离子注入的剂量在1014cm-2至1017cm-2的范围内。
4.根据权利要求2所述的方法,还包括:
在氧离子注入以后,对所述半导体本体进行热处理,其中所述热处理的目标(budget)被配置为使所注入的氧再分配至氧析出物中。
5.根据权利要求4所述的方法,还包括:
在所述热处理之前,从所述第一表面利用粒子对所述半导体本体进行辐照。
6.根据权利要求2所述的方法,还包括:
在所述氧离子注入之前,在所述第一表面上形成图案化的离子注入掩模。
7.根据权利要求6所述的方法,还包括:
在形成所述图案化的离子注入掩模之前,形成对准标记,并且其中所述图案化的离子注入掩模相对于所述对准标记对准。
8.根据权利要求1所述的方法,其中形成所述辅助结构包括:
在所述半导体层的所述第一表面上形成辅助层图案。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述辅助结构包括硅氧化物、硅氮化物、氮氧化物、铝氧化物、碳中之一或其任意组合。
10.根据权利要求8所述的方法,其中所述辅助层图案的厚度在5nm至2μm的范围内。
11.根据权利要求8所述的方法,其中所述辅助层图案包括开口阵列,并且所述开口阵列的中心至中心距离p小于2μm。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述半导体层的厚度被设定为所述中心至中心距离p的至少两倍。
13.根据权利要求8所述的方法,其中所述半导体本体的被所述辅助层图案的材料覆盖的表面积相对于在所述辅助层图案中在开口下方的表面积之比在0.2至2的范围内,所述开口中的任一个开口的最大侧向尺寸小于2μm。
14.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在所述第一表面处形成半导体器件元件之后,并且在从所述第二表面去除所述半导体本体之前,将所述半导体本体经由所述第一表面安装到载体。
15.根据权利要求8所述的方法,还包括:
通过经由所述辅助层图案中的开口作用于所述半导体本体的蚀刻工艺而在所述半导体本体内形成凹陷。
16.根据权利要求1所述的方法,还包括:
通过所述第二表面将掺杂剂离子注入所述半导体本体,其中所述辅助结构形成用于注入所述掺杂剂离子的离子注入掩模。
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