[发明专利]半导体存储装置、存储系统以及操作存储系统的方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

存储单元阵列，包括多个存储体阵列，其中每个存储体阵列包括多个页；

误差校正电路；

误差日志寄存器；以及

控制逻辑电路，

其中，所述控制逻辑电路被配置为在误差检查和擦除(ECS)模式下，响应于从存储控制器接收的第一命令，控制误差校正电路对由至少内部生成的地址指示的一些页顺序地执行误差校验和校正(ECC)解码，从而检测至少一个位误差，

其中所述控制逻辑电路被配置为执行误差记录操作以将页误差信息写入所述误差日志寄存器，以及

其中所述页误差信息包括由控制逻辑电路确定的一些页中的每一页上的误差事件的数量。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述控制逻辑电路被配置为控制所述误差校正电路以从所述一些页的第一页的多个子页中的每一个读取码字数据单元，并顺序地对每个码字数据单元执行ECC解码，所述码字数据单元包括主要数据和奇偶校验数据，以及

其中所述误差校正电路被配置为，基于ECC解码的结果当所述码字数据单元包括至少一个位误差时，将误差生成信号提供至所述控制逻辑电路。

3.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中，当所述码字数据单元包括至少一个位误差时，所述控制逻辑电路被配置为控制所述误差校正电路以执行擦除操作从而校正所述至少一个位误差并将校正的码字数据单元回写至存储码字数据单元的存储位置。

4.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中，所述控制逻辑电路被配置为对所接收的误差生成信号的数量计数以将第一页误差信息写入所述误差日志寄存器，并且所述第一页误差信息包括所述第一页中的误差事件的数量。

5.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中，当对所述第一页的误差记录操作完成时，所述控制逻辑电路被配置为控制所述误差校正电路以对所述一些页的第二页执行ECC解码操作，以及

所述控制逻辑电路被配置为将第二页误差信息写入所述误差日志寄存器，所述第二页误差信息包括所述第二页中的误差事件的数量。

6.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述控制逻辑电路被配置为当所述一些页中的一页中的误差事件的数量达到阈值时立即通过使用警报信号通知所述存储控制器，

所述存储控制器被配置为响应于所述警报信号将擦除命令应用于所述半导体存储装置，以及

所述控制逻辑电路被配置为控制所述误差校正电路以对所述一页执行所述擦除操作。

7.如权利要求6所述的半导体存储装置，其中，所述控制逻辑电路被配置为当所述一页中的误差事件的数量达到所述阈值时，将所述警报信号维持在逻辑高电平达第一时间间隔。

8.如权利要求6所述的半导体存储装置，其中，所述控制逻辑电路被配置为将所述警报信号通过专用引脚传送至所述存储控制器。

9.如权利要求6所述的半导体存储装置，其中，所述控制逻辑电路被配置为响应于所述擦除命令，控制所述误差校正电路对所述一页的子页顺序地执行所述擦除操作。

10.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述误差日志寄存器包括：

第一列，储存所述一些页中的每一页的地址信息；

第二列，储存所述一些页中的每一页的误差事件的数量；

第三列，储存所述一些页中的每一页的包括位误差的子页的数量；

第四列，储存标志信息，所述标志信息指示所述一些页中的每一页的误差信息是否被初始写入；以及

第五列，储存排名信息，所述排名信息与基于所述一些页中的每一页的误差事件的数量的、误差事件的数量的排名有关。

11.如权利要求10所述的半导体存储装置，其中，所述地址信息包括在半导体存储装置中内部生成的所述一些页中的每一页的体组地址、体地址和行地址。