[发明专利]一种提升DDR信号传输质量的主板结构在审
申请号: | 201610993076.8 | 申请日: | 2016-11-11 |
公开(公告)号: | CN106776420A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 武宁;李永翠 | 申请(专利权)人: | 郑州云海信息技术有限公司 |
主分类号: | G06F13/40 | 分类号: | G06F13/40 |
代理公司: | 济南信达专利事务所有限公司37100 | 代理人: | 韩月娥 |
地址: | 450000 河南省郑州市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提升 ddr 信号 传输 质量 主板 结构 | ||
技术领域
本发明涉及PCB板卡Layout布线优化设计领域,具体的说是一种提升DDR信号传输质量的主板结构。
背景技术
服务器产品设计时,主板上DDR内存设计规格为一个CPU包含4组内存通道,每个内存通道包含2个DIMM Slot插槽。也就是说,当系统在重载运行时,此CPU可同时支持8个(4x2)DIMM内存。在DDR内存布线时,传统方式是采用菊花链(Daisy-chain)模式互连。DDR走线每个通道上2个DIMM Slot在采用菊花链模式互连,系统全载运行时,其每个通道上的两个串接DIMM Slot会因在PCB板上前后位置的不同差异,存在两个不连续点;则当CPU和DDR内存颗粒之间进行信号传输时,会因这两不连续点之间的信号反射,影响信号传输质量。
附图1为服务器产品中CPU内存接口配置拓扑图,如附图1所示,以此系统配置方式,其DDR每通道上可同时支持两个DIMM Slot插槽。这两个DIMM插槽,传统PCB互连设计,都是以附图2所示菊花链方式互连。而此互连模式下,当系统满配全载运行时,其信号会因两DIMM插槽之间位置上的前后差异,存在信号反射问题,使其信号传输波形发生ring back振铃现象,影响信号传输质量。
发明内容
本发明针对目前技术发展的需求和不足之处,提供一种提升DDR信号传输质量的主板结构。
本发明所述一种提升DDR信号传输质量的主板结构,解决上述技术问题采用的技术方案如下:所述一种提升DDR信号传输质量的主板结构,其主要包括CPU,所述CPU包含若干组内存通道,每组内存通道中包含两个DIMM Slot插槽,在服务器主板上DDR走线互连设计中,CPU和内存颗粒之间进行信号传输时,信号到所述两个DIMM Slot插槽分支走线长度作等长处理,来消弱减少信号反射影响,从而提升DDR信号传输质量。
优选的,所述主板结构上的CPU包含若四组内存通道。
优选的,所述每组内存通道中的两个DIMM Slot插槽的互连采用“T”Topology对称互连方式。
本发明所述一种提升DDR信号传输质量的主板结构与现有技术相比具有的有益效果是:本发明将每个DDR通道上的串接两个DIMM Slot插槽的走线互连方式由传统的菊花链模式改变成“T”Topology互连方式,通过对到两DIMM插槽分支走线长度作等长处理,减少两DIMM插槽不连续点产生的信号反射对信号传输质量的影响,有效改善了信号传输波形质量,提高系统全载运行时的稳定性及对内存各型号的兼容性。
附图说明
附图1为服务器产品中CPU内存接口配置拓扑图;
附图2为DDR走线菊花链串接拓扑互连方式;
附图3为DDR走线“T”Topology互连方式。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,对本发明所述一种提升DDR信号传输质量的主板结构进一步详细说明。
实施例:
本实施例所述提升DDR信号传输质量的主板结构,其主要包括CPU,所述CPU包含若干组内存通道,每组内存通道中包含两个DIMM Slot插槽,在服务器主板上DDR走线互连设计中,CPU和内存颗粒之间进行信号传输时,信号到所述两个DIMM Slot插槽分支走线长度作等长处理,来消弱减少信号反射影响,从而提升DDR信号传输质量。
该提升DDR信号传输质量的主板结构中,如附图3所示,所述主板结构上的CPU包含若四组内存通道;所述每组内存通道中的两个DIMM Slot插槽的互连采用“T”Topology对称互连方式,以此达到内存信号到这两个DIMM Slot插槽的分支走线长度一样;相比原来每个内存通道中两个DIMM Slot插槽采用菊花链模式进行连接,这两个插槽不连续点产生的信号反射,因信号传输时延相同,传输相位相反,其两不连续点引起的反射波形幅度相互抵消缩减,其信号时域波形的ring back振铃现象明显改善,提升了信号在系统全载运行时的传输质量。
上述具体实施方式仅是本发明的具体个案,本发明的专利保护范围包括但不限于上述具体实施方式,任何符合本发明的权利要求书的且任何所属技术领域的普通技术人员对其所做的适当变化或替换,皆应落入本发明的专利保护范围。
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