[发明专利]一种去除硫酸氧钒晶体中杂质的方法有效
| 申请号： | 201610994016.8 | 申请日： | 2016-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN106395900B | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 刘波;彭穗;汪南方;李道玉;陈婷;曹敏;龙秀丽;陈勇;韩慧果 | 申请（专利权）人： | 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司 |
| 主分类号： | C01G31/00 | 分类号： | C01G31/00;H01M8/18 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙)51124 | 代理人： | 刘世平 |
| 地址： | 617000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 去除 硫酸 晶体 杂质 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种去除硫酸氧钒晶体中杂质的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
将含有杂质元素的硫酸氧钒溶液蒸发至过饱和溶液，加入晶种，降温结晶得到第一硫酸氧钒晶体，所述含有杂质元素的硫酸氧钒溶液中含有0.005％～0.1％的Cr、0.005％～0.1％的Na和0.005％～0.1％的K；
用无水乙醇洗涤所述第一硫酸氧钒晶体，过滤得到第二硫酸氧钒晶体，所述无水乙醇与所述第一硫酸氧钒晶体的液固比为0.5～1.0mL/g；
用纯净硫酸氧钒饱和溶液洗涤所述第二硫酸氧钒晶体，所述纯净硫酸氧钒饱和溶液与所述第二硫酸氧钒晶体的液固比为1.0～1.5ml/g；
过滤并烘干，得到第三硫酸氧钒晶体，其中，烘干温度为50～60℃，时间为30～60min。
2.根据权利要求1所述的去除硫酸氧钒晶体中杂质的方法，其特征在于，所述纯净硫酸氧钒饱和溶液的浓度为3～4mol/L。
3.根据权利要求1所述的去除硫酸氧钒晶体中杂质的方法，其特征在于，晶种加入量为8～10g/L，降温速度1～2℃/h。
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