[发明专利]电子装置及其制造方法和操作方法、电子复写系统

权利要求书

1.一种电子装置，包括按阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括：

霍尔效应工作电极，包括第一接触位置、第二接触位置、第三接触位置和第四接触位置，其中，所述第一接触位置和所述第二接触位置的连线与所述第三接触位置和所述第四接触位置的连线相交；

薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，其中，所述漏极与所述第一接触位置电连接；

栅线，与所述栅极电连接；

第一公共线，通过所述第三接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接；

第二公共线，通过所述第四接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接；

数据线，与所述源极电连接；以及

感测线，与所述第二接触位置电连接。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一接触位置和所述第二接触位置的连线与所述第三接触位置和所述第四接触位置的连线垂直。

3.根据权利要求1项所述的电子装置，还包括磁性材料层，其中，所述电子装置包括工作面，所述磁性材料层相对于所述霍尔效应工作电极设置在与所述工作面相反的一侧。

4.根据权利要求1-3任一项所述的电子装置，还包括第一连接线和第二连接线，其中，所述第一连接线的两端分别与所述第一接触位置和所述漏极电连接，所述第二连接线的两端分别与所述第二接触位置和所述感测线电连接。

5.根据权利要求1-3任一项所述的电子装置，其中，所述霍尔效应工作电极由导体材料或半导体材料形成。

6.根据权利要求5所述的电子装置，其中，所述薄膜晶体管还包括半导体图案，由所述半导体材料形成的所述霍尔效应工作电极与所述半导体图案同层形成。

7.根据权利要求5所述的电子装置，其中，由所述导体材料形成的所述霍尔效应工作电极与所述源极、所述漏极同层形成。

8.根据权利要求1-3、6-7任一项所述的电子装置，还包括第三连接线和第四连接线，其中，所述第三连接线的两端分别与所述第三接触位置和所述第一公共线电连接，所述第四连接线的两端分别与所述第四接触位置和所述第二公共线电连接。

9.根据权利要求8所述的电子装置，还包括防护层，其中，所述防护层设置在所述第三连接线的远离所述栅极的一侧。

10.根据权利要求1-3、6-7任一项所述的电子装置，还包括控制电路，所述控制电路与所述数据线和所述栅线电连接，用于对所述栅线施加扫描信号以及接收所述数据线输出的电压信号。

11.一种用于如权利要求1-10任一项所述电子装置的操作方法，包括：

向所述栅线施加扫描电压，并导通与之相连的所述像素单元中的所述薄膜晶体管；

通过所述第一公共线和所述第二公共线向所述霍尔效应工作电极施加第一电流；

通过所述数据线和所述感测线检测所述霍尔效应工作电极的霍尔电压信号，其中根据所述霍尔电压信号判断所述像素单元是否被操作。

12.根据权利要求11所述的操作方法，其中，

对所述按阵列排布的多个像素单元进行扫描，判断每个像素单元是否被操作，由此得到与所述多个像素单元对应的图像。

13.一种电子复写系统，包括如权利要求1-10任一项所述的电子装置和磁性笔。

14.根据权利要求13所述的电子复写系统，其中，所述磁性笔包括由磁性材料制成的操作部。

15.一种电子装置的制造方法，包括：

形成霍尔效应工作电极，其中，所述霍尔效应工作电极包括第一接触位置、第二接触位置、第三接触位置和第四接触位置，所述第一接触位置和所述第二接触位置的连线与所述第三接触位置和所述第四接触位置的连线相交；

形成薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述漏极与所述第一接触位置电连接；

形成栅线，其中，所述栅线与所述栅极电连接；

形成第一公共线，其中，所述第一公共线通过所述第三接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接；

形成第二公共线，其中，所述第二公共线通过所述第四接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接；

形成数据线，其中，所述数据线与所述源极电连接；以及

形成感测线，其中，所述感测线与所述第二接触位置电连接。