[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

在一半导体基底的一第一区上形成多个栅极电极，所述多个栅极电极在一第一方向上延伸；

在该第一区的所述多个栅极电极上形成一第一金属层，其中该第一区的该第一金属层内每一条个别的线在与该第一方向垂直的一第二方向上延伸，其中该第一金属层无熔丝；

在该第一区的该第一金属层上形成一第二金属层，其中该第一区的该第二金属层内每一条个别的线在该第一方向上延伸，其中该第二金属层无熔丝；以及

在该第一区的该第二金属层上形成一第三金属层，其中该第一区的该第三金属层内每一条个别的线在该第二方向上延伸，其中该第三金属层包括多条熔丝，以及

其中形成该第二金属层具有一第一厚度，且其中形成该第三金属层具有不同于该第一厚度的一第二厚度，且该第二厚度小于该第一厚度。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括在该第一区的该第三金属层上形成一第四金属层，其中该第一区的该第四金属层内每一条个别的线在该第一方向上延伸。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，还包括在该第一区的该第四金属层上形成一第五金属层，其中该第一区的该第五金属层内每一条个别的线在该第二方向上延伸。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中形成该第三金属层包括至少一部份的双镶嵌工艺。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括编程所述多条熔丝。

6.一种半导体装置的制造方法，包括：

在一半导体基底上形成一系列的有源元件；

在该系列的有源元件上沉积一第一金属层，在一俯视图中，该第一金属层排列为垂直于该系列的有源元件；

在该第一金属层上沉积一第二金属层，在该俯视图中，该第二金属层排列为垂直于该第一金属层；以及

在该第二金属层上沉积一系列的熔丝在一第三金属层内，在该俯视图中，该第三金属层排列为垂直于该第二金属层，

其中沉积该系列的熔丝具有一第一厚度，且其中沉积该第二金属层具有不同于该第一厚度的一第二厚度，且该第一厚度小于该第二厚度。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，还包括在该第三金属层上沉积一第四金属层，在该俯视图中，该第四金属层排列为垂直于该第三金属层。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，还包括在该第四金属层上沉积一第五金属层，在该俯视图中，该第五金属层排列为垂直于该第四金属层。

9.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中该第二金属层无熔丝。

10.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中沉积该第三金属层还包括一双镶嵌工艺。

11.一种半导体装置，包括：

多个有源元件，在一半导体基底的一第一区内，所述多个有源元件在一第一方向上延伸；

一第一金属层，在所述多个有源元件上，该第一金属层包括多条第一金属线在该第一区内且在垂直于该第一方向的一第二方向上排列；

一第二金属层，在该第一金属层上，该第二金属层包括多条第二金属线在该第一区内且在该第一方向上排列；以及

一第三金属层，在该第二金属层上，该第三金属层包括多条第三金属线和多条熔丝，其中所述多条第三金属线在该第二方向上排列，其中所述多条第三金属线具有一第一厚度，该第二金属层具有不同于该第一厚度的一第二厚度，且该第一厚度小于该第二厚度。

12.如权利要求11所述的半导体装置，还包括一第四金属层，在该第三金属层上，该第四金属层包括多条第四金属线在该第一方向上排列。