[发明专利]分析集成电路中的电迁移规则违反的方法

说明书

技术领域

本发明实施例是有关于一种分析集成电路的方法，且特别是有关于一种分析集成电路中的电迁移规则违反的方法。

背景技术

常规半导体装置包含衬底、在衬底上方的电路和将电路的组件互连且遵守电迁移(electromigration；EM)规则的金属线。

EM为半导体装置的金属线的离子/原子从第一区迁移到金属线的第二区的现象，且涉及在金属线的第一区处的空隙形成(这可导致半导体装置中的断路)，以及在金属线的第二区处的离子/原子累积(这可导致半导体装置中的短路)。建立EM规则，所述EM规则限制在容许EM下流动穿过金属线的电流。

在从集成电路(integrated circuit；IC)布局制造半导体装置之前，对IC布局执行EM分析，以便检测金属线是遵守还是违反EM规则。仅在检测到金属线中的每一者遵守EM规则时才开始半导体装置的制造。

发明内容

本发明实施例提供一种分析集成电路中的电迁移规则违反的方法，其包括：接收输入，所述输入呈电子文件格式且包含与集成电路布局相关联的信息。从所述输入选择所述集成电路布局的不遵守电迁移规则的金属线，所述不遵守电迁移规则的金属线违反电迁移规则。从所述输入获得所述不遵守电迁移规则的金属线的电流。比较所述电流与阈值电流。基于比较的结果确定所述电迁移规则违反是否可忽略。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本发明实施例的各方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1为说明根据本发明实施例的各种实施例的示范性半导体装置的示意性截面图。

图2为说明根据本发明实施例的各种实施例的示范性集成电路(IC)布局的示意性俯视图。

图3为说明根据本发明实施例的各种实施例的示范性系统的框图。

图4为说明根据本发明实施例的各种实施例的另一示范性系统的框图。

图5为说明根据本发明实施例的各种实施例的分析电迁移(EM)违规的示范性方法的流程图。

图6为说明根据本发明实施例的各种实施例的图5的方法的操作的流程图。

具体实施方式

以下揭示内容提供用于实施所提供的标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例以简化本发明实施例。当然，这些仅为实例且并不意欲进行限制。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征之上或上的形成可包含第一特征与第二特征直接接触地形成的实施例，并且还可包含额外特征可形成于第一特征与第二特征之间从而使得第一特征与第二特征可以不直接接触的实施例。此外，本发明实施例可在各种实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简单和清楚的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

另外，例如“在……下”、“在……下方”、“下部”、“在……上方”、“上部”及类似者的空间相关术语本文中为易于描述而使用，以描述如图中所说明的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除图中所描绘的定向以外，空间相关术语意欲涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相关描述词同样可相应地进行解释。

本发明实施例提供分析电迁移(EM)规则违反的示范性系统/方法。确切地说，系统/方法确定集成电路(IC)布局中检测到的EM规则违反是否可忽略。在确定EM规则违反可忽略的事件中，可开始/执行从IC布局制造半导体装置，没有延迟，即不需要修改IC布局/修正EM规则违反。

如下文将描述，本发明实施例是基于半导体装置的EM寿命随半导体装置的金属线的电流密度而变的概念。也就是说，即使金属线不遵守(即违反)EM规则，例如金属线的方均根(root-mean-square；RMS)电流超过阈值RMS电流，在流动穿过金属线的直流电(direct current；DC)不超过阈值DC电流时，电流密度仍将不会显著缩短EM寿命。因此，EM规则违反为可忽略的，且因此可被遗弃/忽略。