[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610997289.8 | 申请日： | 2012-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106653832B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 金红莲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括晶体管，所述方法包括如下步骤：
在基底上形成第一氧化物半导体膜；
在所述第一氧化物半导体膜上形成导电膜；
通过移除与所述第一氧化物半导体膜的一部分重叠的所述导电膜的一部分来处理所述导电膜从而形成源电极和漏电极；
在处理所述导电膜后通过移除所述第一氧化物半导体膜的一部分来处理所述第一氧化物半导体膜；
在所述源电极和所述漏电极上形成栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜上形成栅电极；以及
利用所述源电极、所述漏电极和所述栅电极作为掩模，通过所述栅极绝缘膜向经处理的所述第一氧化物半导体膜添加离子，
其中，所述晶体管使用经处理的所述第一氧化物半导体膜来形成，且
所述晶体管的沟道形成区在所述第一氧化物半导体膜的一部分中形成。
2.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括晶体管，所述方法包括如下步骤：
在基底上形成第一氧化物半导体膜；
在所述第一氧化物半导体膜上形成导电膜；
通过移除与所述第一氧化物半导体膜的一部分重叠的所述导电膜的一部分来处理所述导电膜从而形成源电极和漏电极；
在处理所述导电膜后在所述第一氧化物半导体膜上形成抗蚀剂掩模；
形成所述抗蚀剂掩模后通过移除所述第一氧化物半导体膜的一部分来处理所述第一氧化物半导体膜；
在所述源电极和所述漏电极上形成栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜上形成栅电极；以及
利用所述源电极、所述漏电极和所述栅电极作为掩模，通过所述栅极绝缘膜向经处理的所述第一氧化物半导体膜添加离子，
其中，所述晶体管使用经处理的所述第一氧化物半导体膜来形成，且
所述晶体管的沟道形成区在所述第一氧化物半导体膜的一部分中形成。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括如下步骤：处理所述第一氧化物半导体膜后移除所述抗蚀剂掩模。
4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，
所述导电膜包含W。
5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，还包括如下步骤：在形成所述第一氧化物半导体膜后且在形成所述导电膜前对所述基底进行加热。
6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，还包括如下步骤：在形成所述导电膜后且在处理所述导电膜前对所述基底进行加热。
7.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，还包括如下步骤：在所述第一氧化物半导体膜上且与所述第一氧化物半导体膜接触地形成第二氧化物半导体膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610997289.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
