[发明专利]包括多平面结构的非易失性存储装置有效
申请号: | 201610997565.0 | 申请日: | 2016-11-11 |
公开(公告)号: | CN107025934B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 郭东勋;边大锡;尹治元 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/04 | 分类号: | G11C16/04;G11C16/08;G11C16/26;G11C16/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 平面 结构 非易失性 存储 装置 | ||
1.一种非易失性存储装置,包括:
存储单元阵列,所述存储单元阵列包括第一平面和第二平面;以及
地址译码器,所述地址译码器通过第一串选择线连接至所述第一平面,并且通过第二串选择线连接至所述第二平面,并且被配置为将串选择信号和串未选择信号提供给所述第一串选择线和所述第二串选择线,其中,
所述地址译码器基于对应于所述第一平面和所述第二平面的不同串选择线地址,而独立地将所述串选择信号和所述串未选择信号提供给每个平面中的所述第一串选择线和所述第二串选择线,
根据施加给字线、位线、和接地选择线的信号而选择性地访问所述第一平面和第二平面的存储单元,以及
所述第一平面和第二平面不共享字线、位线和接地选择线中的任一条,
其中:
所述地址译码器包括被配置为存储所述不同串选择线地址的开关控制器;以及
所述开关控制器包括第一阶段存储单元,所述第一阶段存储单元被配置为存储第一串选择线地址和第二串选择线地址,所述第一串选择线地址和所述第二串选择线地址中的每一个对应于要对其同时施加所述串选择信号的串选择线;和第二阶段存储单元,所述第二阶段存储单元被配置为存储第三串选择线地址和第四串选择线地址,第三串选择线地址和第四串选择线地址中的每一个对应于接下来要对其施加所述串选择信号的串选择线。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:
地址译码器包括串选择线选择电路,所述串选择线选择电路被配置为将所述串选择信号和所述串未选择信号提供给所述第一平面和所述第二平面中的每个平面,以及
所述串选择线选择电路包括第一串开关,所述第一串开关被配置为根据第一串选择线地址而控制所述第一串选择线;和第二串开关,所述第二串开关被配置为根据第二串选择线地址而控制所述第二串选择线。
3.根据权利要求2所述的非易失性存储装置,其中:
所述地址译码器包括开关控制器,所述开关控制器被配置为存储所述第一串选择线地址和所述第二串选择线地址;以及
所述开关控制器从外部接收的地址中提取所述第一串选择线地址和所述第二串选择线地址,并且所述开关控制器包括被配置为存储所述第一串选择线地址的第一地址存储单元和被配置为存储所述第二串选择线地址的第二地址存储单元。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:
所述第一串选择线地址和所述第三串选择线地址对应于所述第一平面;以及
所述第二串选择线地址和所述第四串选择线地址对应于所述第二平面。
5.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:
所述地址译码器包括串选择线选择电路,所述串选择线选择电路被配置为将所述串选择信号和串未选择信号提供给所述第一平面和所述第二平面中的每个平面;以及
所述串选择线选择电路包括:第一串开关,所述第一串开关被配置为根据第一串选择线地址而控制所述第一串选择线;和第二串开关,所述第二串开关被配置为根据第二串选择线地址而控制所述第二串选择线。
6.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中,在所述地址译码器将所述串选择信号和所述串未选择信号提供给所述第一平面和所述第二平面中的每个平面之后,所述第一阶段存储单元存储所述第三串选择线地址和所述第四串选择线地址。
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