[发明专利]保护膜覆盖方法在审
申请号: | 201610997931.2 | 申请日: | 2016-11-11 |
公开(公告)号: | CN106952871A | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 岩本拓;吉田博斗;九鬼润一 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护膜 覆盖 方法 | ||
技术领域
本发明涉及在半导体晶片等晶片的正面上覆盖保护膜的保护膜覆盖方法。
背景技术
如本领域技术人员已知的那样,在半导体器件制造工艺中,在硅等半导体基板的正面上通过呈格子状排列的分割预定线划分出多个区域,在该划分出的区域内形成有IC、LSI等器件。关于这样形成的半导体晶片,通过沿着分割预定线进行切断而制造出各个器件芯片。并且,在光器件晶片中,在蓝宝石基板等的正面上通过呈格子状形成的分割预定线划分出多个区域,在该划分出的区域内层叠有氮化镓类化合物半导体等并形成有光器件,沿着分割预定线将该光器件晶片分割成各个发光二极管、激光二极管等光器件芯片并广泛地应用在电子设备中。
作为沿着分割预定线对这样的半导体晶片或光器件晶片等晶片进行分割的方法,提出了如下的方法:通过沿着形成在晶片上的分割预定线照射脉冲激光光线来形成激光加工槽,并沿着该激光加工槽借助机械切割装置来割断晶片。
与切削加工相比,激光加工能够加快加工速度,并且即使是由如蓝宝石那样硬度较高的材料构成的晶片也能够比较容易地进行加工。但是,当沿着晶片的分割预定线照射激光光线时,在所照射的区域内因热量集中而产生碎屑,该碎屑附着在器件的正面而产生使器件的品质降低的新的问题。
为了解决因上述碎屑而导致的问题,提出了如下的激光加工机:在晶片的加工面上覆盖聚乙烯醇(PVA)等保护膜,并通过保护膜向晶片照射激光光线。(例如,参照专利文献1。)
适用于在上述专利文献1中公开的激光加工机的保护膜的覆盖方法是所谓的旋涂法,通过向保持在旋转工作台上的晶片的中心部提供聚乙烯醇(PVA)等水溶性树脂,并使旋转工作台旋转而借助离心力来使水溶性树脂朝向晶片的外周移动,在晶片的正面上形成保护膜。
专利文献1:日本特开2004-322168公报
然而,由于保护带被安装在环状的框架上,晶片在粘接在该保护带的正面并保持在旋转工作台上的状态下形成保护膜,所以水溶性树脂飞散并附着在环状的框架的上表面。因此,存在如下的问题:在对经由保护带被支承于环状的框架的晶片进行搬送时,附着在环状的框架的上表面的液状树脂如粘合剂那样发生作用而使环状的框架不能从搬送单元脱离。
并且,虽然也提出了在通过保护膜覆盖单元在晶片的正面上覆盖了保护膜之后,向分散在环状的框架的上表面的水溶性树脂提供清洗水而将水溶性树脂从环状的框架的上表面去除的方案,但存在如下的问题:为了可靠地去除附着在环状的框架的上表面的水溶性树脂而需要相当的时间,且不能进行顺畅的激光加工。
发明内容
本发明是鉴于上述事实而完成的,其主要的技术课题在于,提供保护膜覆盖方法,能够容易地将附着在经由保护带对晶片进行支承的环状的框架的上表面的液状树脂去除。
为了解决上述主要的技术课题,根据本发明,提供保护膜覆盖方法,利用水溶性树脂在晶片的正面上覆盖保护膜,该晶片在正面上呈格子状形成有多条分割预定线并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域内形成有器件,该保护膜覆盖方法的特征在于,
具有如下的工序:
晶片支承工序,在具有对晶片进行收容的开口的环状的框架的该开口中经由粘合带而粘接晶片的背面,从而利用环状的框架对晶片进行支承;
晶片保持工序,在经由粘合带将晶片支承在环状的框架上的状态下以晶片的正面作为上侧而保持在旋转工作台上;
保护膜覆盖工序,一边使旋转工作台旋转一边向旋转工作台所保持的晶片的正面中央区域滴下水溶性树脂,从而在晶片的正面上覆盖由水溶性树脂形成的保护膜;以及
水溶性树脂去除工序,将在该保护膜覆盖工序中飞散到环状的框架的上表面的水溶性树脂去除,
在该水溶性树脂去除工序中,一边使旋转工作台旋转一边将清洗喷嘴定位在旋转工作台所保持的环状的框架的上表面而向环状的框架的上表面提供清洗水,并且将空气喷嘴与该清洗喷嘴相邻地定位在旋转方向下游侧,提供空气以使该空气逆着被提供到环状的框架的上表面的清洗水的移动而使清洗水暂时滞留并且将清洗水排出到环状的框架的外侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造