[发明专利]层叠封装器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201610999256.7 | 申请日： | 2016-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN107452692B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 曾华伟;苏安治;陈宪伟;黄立贤;杨天中 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/498;H01L23/522;H01L23/528;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 层叠 封装 器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种层叠封装器件，其特征在于包括：
第一封装结构，包括：
第一晶粒；以及
多个有源集成扇出型通孔以及多个虚设集成扇出型通孔，位于所述第一晶粒侧边；以及
第二封装结构，包括：
多个有源凸块，接合至所述多个有源集成扇出型通孔；以及
多个虚设凸块，接合至所述多个虚设集成扇出型通孔，
其中在一横截面上，所述多个虚设凸块的数目相同于所述多个虚设集成扇出型穿孔的数目，且所述多个虚设凸块分别直接接合至所述多个虚设集成扇出型穿孔中对应的一个。
2.根据权利要求1所述的层叠封装器件，其特征在于，位于所述第一晶粒的第一侧的所述有源集成扇出型穿孔以及所述虚设集成扇出型穿孔的分布实质上对称于位于所述第一晶粒的第二侧的所述有源集成扇出型穿孔以及所述虚设集成扇出型穿孔的分布。
3.根据权利要求1所述的层叠封装器件，其特征在于，所述有源集成扇出型穿孔的高度实质上相同于所述虚设集成扇出型穿孔的高度。
4.根据权利要求1所述的层叠封装器件，其特征在于，所述有源集成扇出型穿孔的高度不同于所述虚设集成扇出型穿孔的高度。
5.根据权利要求1所述的层叠封装器件，其特征在于，所述有源集成扇出型穿孔的宽度实质上相同于所述虚设集成扇出型穿孔的宽度。
6.根据权利要求1所述的层叠封装器件，其特征在于，所述有源集成扇出型穿孔的宽度不同于所述虚设集成扇出型穿孔的宽度。
7.根据权利要求1所述的层叠封装器件，其特征在于，所述有源集成扇出型穿孔位于所述第一晶粒的第一侧以及第二侧，而所述虚设集成扇出型穿孔位于述第一晶粒的所述第一侧以及所述第二侧中的一侧。
8.根据权利要求1所述的层叠封装器件，其特征在于，位于所述第一晶粒的第一侧的所述有源集成扇出型穿孔的总数目为位于所述第一晶粒的第二侧的所述有源集成扇出型穿孔的总数目的至少两倍。
9.根据权利要求1所述的层叠封装器件，其特征在于，所述有源集成扇出型穿孔位于所述第一晶粒的第一侧，且所述虚设集成扇出型穿孔位于所述第一晶粒的第二侧。
10.一种层叠封装器件，其特征在于，包括：
第一封装结构，包括：
第一晶粒；
多个有源集成扇出型穿孔；
多个有源接垫，电性连接至所述有源集成扇出型穿孔；以及
多个虚设接垫，位于所述有源接垫侧边；以及
第二封装结构，包括：
多个有源凸块，接合至所述有源接垫；以及
多个虚设凸块，接合至所述虚设接垫，
其中在一横截面上，所述多个虚设凸块的数目相同于所述多个虚设接垫的数目，且所述多个虚设凸块分别直接接合至所述多个虚设接垫中对应的一个。
11.根据权利要求10所述的层叠封装器件，其特征在于，位于所述第一晶粒的第一侧的所述有源接垫以及所述虚设接垫的总数目实质上相同于位于所述第一晶粒的第二侧的所述有源接垫以及所述虚设接垫的总数目。
12.根据权利要求10所述的层叠封装器件，其特征在于，位于所述第一晶粒的第一侧的所述有源接垫以及所述虚设接垫的分布实质上对称于位于所述第一晶粒的第二侧的所述有源接垫以及所述虚设接垫的分布。
13.根据权利要求10所述的层叠封装器件，其特征在于，所述有源接垫位于所述第一晶粒的第一侧以及第二侧。
14.根据权利要求10所述的层叠封装器件，其特征在于，所述有源接垫位于所述第一晶粒的第一侧以及第二侧中的另一侧。
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