[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

刻蚀所述基底，形成衬底以及位于所述衬底上的多个鳍部，所述鳍部之间具有宽度不同的第一间隔和第二间隔，所述第一间隔大于所述第二间隔；

在鳍部露出的衬底上形成第一隔离层，所述第一隔离层在第一间隔处形成开口；

对所述第一隔离层进行第一退火工艺处理；

形成填充所述开口且覆盖所述第一隔离层的第二隔离层；

去除部分厚度的第一隔离层和第二隔离层，形成隔离结构，所述隔离结构的顶部表面低于所述鳍部的顶部表面；

形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和侧壁；

在所述栅极结构两侧的鳍部内形成源漏掺杂区。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，采用炉管退火、快速退火、热退火、尖峰退火或者激光退火的方式进行所述第一退火工艺处理。

3.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一退火工艺处理的工艺气氛为Ar、N2或者He，工艺温度为500-800℃，工艺时间为5-60min。

4.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述形成第一隔离层的步骤包括：在所述鳍部露出的衬底上形成至少一层第一隔离材料层，所述至少一层第一隔离材料层用于构成所述第一隔离层；

其中，形成所述第一隔离材料层的步骤包括：在所述鳍部露出的衬底上形成第一隔离膜；对所述第一隔离膜进行硬化退火处理。

5.如权利要求4所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，在所述鳍部露出的衬底上形成一层第一隔离材料层，所述一层第一隔离材料层用于形成所述第一隔离层。

6.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层填充满所述第二间隔。

7.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管的形成方法还包括：在形成所述第二隔离层后，进行第二退火工艺处理。

8.如权利要求7所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，采用炉管退火、快速退火、热退火、尖峰退火或者激光退火的方式进行第二退火工艺处理。

9.如权利要求7所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二退火工艺处理的工艺气氛为Ar、N2或者He，工艺温度为500-800℃，工艺时间为5-60min。

10.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，采用流动性化学气相沉积工艺或者原子层沉积工艺形成所述第一隔离层和第二隔离层。

11.如权利要求10所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述采用流动性化学气相沉积工艺形成第一隔离层和第二隔离层的步骤包括：采用TSA和NH3形成含氮键和氢键的氧化物；

通过O3对所述含氮键和氢键的氧化物进行处理。

12.如权利要求11所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述含氮键和氢键的氧化物为含氮键和氢键的二氧化硅。

13.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一间隔的宽度为80-200nm，所述第二间隔的宽度为20-80nm。