[发明专利]一种工业化大规模生产碳化硅粉体的方法

权利要求书

1.一种工业化大规模生产碳化硅粉体的方法，其特征在于包括以下步骤：

1）将硅源与氢气混合在环境温度>1000℃条件下反应，得到纯度>4N的 Si粉；将具有小分子有机物的碳源提纯后在无氧条件下高温碳化得到纯度>4N的C粉；所述硅源为卤硅烷或者硅烷；

2）将所述Si粉和C粉以1∶1的摩尔比混合后，加入高纯水进行水解反应，得到SiO₂和C的均质浆料；

3）将SiO₂和C的均质浆料置于150～300℃温度环境中进行造粒干燥，然后在600～800℃温度环境中热解碳化，取得碳化后混合物；

4）将碳化后混合物置于500～600℃温度环境中预烧，除去混合物表面残留的水蒸气和空气，然后将混合物进行研磨后置于1400～1900℃温度环境中进行中温合成，取得碳化硅粉体粗品；

5）将碳化硅粉体粗品经提纯后，取得碳化硅粉体精品。

2.根据权利要求1所述工业化大规模生产碳化硅粉体的方法，其特征在于所述硅源为SiCl₄、SiHCl₃、SiH₂Cl₂、SiBr₄或SiI₄。

3.根据权利要求1所述工业化大规模生产碳化硅粉体的方法，其特征在于所述碳源为乙酸乙酯、甲醇、异丙醇、乙二醇、油酸或软脂酸。

4.根据权利要求1所述工业化大规模生产碳化硅粉体的方法，其特征在于所述步骤3）中造粒干燥的温度环境为180～280℃。

5.根据权利要求4所述工业化大规模生产碳化硅粉体的方法，其特征在于所述步骤3）中造粒干燥的温度环境为200～250℃。

6.根据权利要求1所述工业化大规模生产碳化硅粉体的方法，其特征在于所述步骤4）中所述研磨在氮气保护的情况下进行。

7.根据权利要求1或2或3或4或5或6所述工业化大规模生产碳化硅粉体的方法，其特征在于所述步骤5）中将碳化硅粉体粗品置于1900～2200℃条件下进行真空蒸馏，取得碳化硅粉体精品。

8.根据权利要求1或2或3或4或5或6所述工业化大规模生产碳化硅粉体的方法，其特征在于所述步骤5）中将碳化硅粉体粗品先置于1900～2200℃条件下进行真空蒸馏，再经定向冷凝偏析提纯，取得碳化硅粉体精品。

9.根据权利要求1或2或3或4或5或6所述工业化大规模生产碳化硅粉体的方法，其特征在于所述步骤5）中将碳化硅粉体粗品经定向冷凝偏析提纯，取得碳化硅粉体精品。