[发明专利]一种微波探测元件以及微波探测器有效
| 申请号： | 201611004502.7 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN108075034B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 方彬;唐伟;罗鑫;熊荣欣;蔡佳林;曾中明;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;H01L43/08 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 微波 探测 元件 以及 探测器 | ||
1.一种微波探测元件，其特征在于，所述微波探测元件包括位于上电极和下电极之间的叠层设置的绝缘层和第一磁性层；向所述上电极和下电极施加有偏置电压时，所述绝缘层的邻近所述第一磁性层的界面产生电场或发生应力形变，以改变所述第一磁性层的磁性从而对待测微波信号实现共振吸收，由此从所述上电极和下电极输出整流电压而实现微波探测。
2.根据权利要求1所述的微波探测元件，其特征在于，所述第一磁性层的厚度为0.8nm～20nm，所述第一磁性层的材料选自NiFe、Fe、Co、FeB、CoFeB、Co/Pt、Co/Pd、Co/Ni、CoFeSiB和TeFeCoAl中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的微波探测元件，其特征在于，所述绝缘层的厚度为0.1mm～2mm；所述绝缘层的材料选自磁性绝缘材料、铁电陶瓷和拓扑绝缘体中的至少一种。
4.根据权利要求1-3任一所述的微波探测元件，其特征在于，所述第一磁性层上还依次叠层设置有空间层和第二磁性层，所述第一磁性层、空间层和第二磁性层依次叠层设置形成巨磁电阻结构。
5.根据权利要求4所述的微波探测元件，其特征在于，所述第二磁性层的厚度为0.8nm～20nm，所述第二磁性层的材料选自NiFe、Fe、Co、FeB、CoFeB、Co/Pt、Co/Pd、Co/Ni、CoFeSiB和TeFeCoAl中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的微波探测元件，其特征在于，所述空间层的厚度为0.5nm～5nm，所述空间层的材料为金属材料或绝缘材料。
7.根据权利要求1所述的微波探测元件，其特征在于，所述绝缘层的厚度为0.5nm～5nm；所述绝缘层的材料选自Al2O3和MgO中的至少一种；所述第一磁性层的厚度不超过2nm，所述第一磁性层的材料选自NiFe、Fe、Co、FeB、CoFeB、Co/Pt、Co/Pd、Co/Ni、CoFeSiB和TeFeCoAl中的至少一种。
8.根据权利要求1或7所述的微波探测元件，其特征在于，所述微波探测元件还包括第二磁性层，所述第二磁性层、绝缘层和第一磁性层依次叠层设置形成磁性隧道结。
9.根据权利要求8所述的微波探测元件，其特征在于，所述第二磁性层的厚度不超过3nm，所述第二磁性层的材料选自NiFe、Fe、Co、FeB、CoFeB、Co/Pt、Co/Pd、Co/Ni、CoFeSiB和TeFeCoAl中的至少一种。
10.一种微波探测器，其特征在于，包括如权利要求1-9任一所述的微波探测元件。
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