[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201611005065.0 | 申请日: | 2016-11-15 |
公开(公告)号: | CN107437551B | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 林俊贤;谢朝桦;凃博闵;洪梓健;彭建忠;黄世晟 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
本揭露涉及一种显示装置及其制造方法。显示装置包括基板、发光二极管、第一凸块、第一绝缘层以及第二绝缘层。发光二极管具有相对的第一表面与第二表面,其中第一表面面向基板。发光二极管通过第一凸块与基板连接。第一绝缘层配置于第一凸块与发光二极管的周侧且与第一凸块及第一表面接触。第二绝缘层配置于基板上且至少围绕部分第一绝缘层。本技术方案能缓冲发光二极管与基板进行接合时的作用力,对发光二极管提供遮光或保护等功效。
技术领域
本揭露涉及一种装置及其制造方法,且尤其涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
由于发光二极管(light emitting diode,LED)显示装置具有主动式发光、高亮度、高对比、低功耗等优势,且相较于有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)显示装置具有较长寿命等优点,因此近年来成为新型显示器大力发展的技术之一。为了满足高解析度的需求,发光二极管显示装置正朝向由主动元件阵列基板与阵列排列的微米尺寸的发光二极管组成的方向发展。
发明内容
本揭露提供一种显示装置,其具有提供保护的绝缘层结构。
本揭露提供一种显示装置的制造方法,其中绝缘层能缓冲发光二极管与基板进行接合时的作用力。
本揭露的显示装置包括基板、发光二极管、第一凸块、第一绝缘层以及第二绝缘层。发光二极管具有相对的第一表面与第二表面,其中第一表面面向基板。发光二极管通过第一凸块与基板连接。第一绝缘层配置于第一凸块与发光二极管的周侧且与第一凸块及第一表面接触。第二绝缘层配置于基板上且至少围绕部分第一绝缘层。
本揭露的显示装置的制造方法包括以下步骤。于一发光二极管上形成与发光二极管电性连接的至少一第一凸块。形成一第一绝缘层,其中第一绝缘层至少配置于第一凸块的周侧且与其接触,并至少围绕部分发光二极管。通过使第一凸块与一基板的一第一电极接合,以接合发光二极管与基板。于基板上形成一第二绝缘层,其中第二绝缘层至少围绕部分发光二极管。
基于上述,本揭露的第一绝缘层配置于凸块与发光二极管的周侧且与凸块及第一表面接触,以及第二绝缘层至少围绕部分第一绝缘层。因此,能缓冲发光二极管与基板进行接合时的作用力,以及对发光二极管提供遮光或保护等功效。如此一来,包括发光二极管的显示装置具有良好的元件特性或良率。
为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A是依照本揭露的一实施例的显示装置的剖面示意图。
图1B是图1A的局部放大图。
图2A至图2G是图1B的显示装置中的发光单元的制作方法的流程示意图。
图3A是依照本揭露的一实施例的显示装置的剖面示意图。
图3B是依照本揭露的一实施例的显示装置的剖面示意图。
图4是依照本揭露的一实施例的显示装置的剖面示意图。
图5A是依照本揭露的一实施例的显示装置的剖面示意图。
图5B是图5A的局部放大图。
图6是依照本揭露的一实施例的显示装置的剖面示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的