[发明专利]一种磁通门传感器芯片有效
| 申请号： | 201611005078.8 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN106569153B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 雷冲;周勇 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G01R33/05 | 分类号： | G01R33/05 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁通门传感器 二氧化硅薄膜 底层线圈 激励线圈 检测线圈 芯片 磁芯 硅衬底表面 硅衬底 集成化 高阻 绝缘 兼容 螺线管线圈 微电子工艺 集成制造 绝缘包覆 微槽阵列 上表面 微机电 微制造 电极 顶层 平齐 三维 | ||
1.一种磁通门传感器芯片，包括高阻硅衬底、激励线圈、检测线圈、磁芯、电极，其特征在于，所述激励线圈和所述检测线圈均为微机电三维螺线管线圈，所述激励线圈和所述检测线圈的底层线圈位于所述高阻硅衬底表面的硅微槽阵列内，所述底层线圈的上表面与所述高阻硅衬底表面平齐，所述底层线圈通过二氧化硅薄膜与所述高阻硅衬底和所述磁芯绝缘；所述底层线圈、所述磁芯与顶层线圈之间均通过二氧化硅薄膜绝缘，所述顶层线圈表面覆盖二氧化硅薄膜；
所述硅微槽阵列采用干法刻蚀工艺在所述高阻硅衬底表面刻蚀形成，所述硅微槽阵列的微槽宽度及间隙均为50μm；
采用MEMS技术硅工艺与非硅工艺相结合的方法，所述二氧化硅薄膜位于所述高阻硅衬底与所述底层线圈之间、所述底层线圈与所述磁芯之间、所述磁芯与所述顶层线圈之间以及所述顶层线圈的表面，所述二氧化硅薄膜的厚度为1μm。
2.如权利要求1所述的磁通门传感器芯片，其特征在于，所述底层线圈与所述顶层线圈之间，通过位于所述底层线圈两端端头二氧化硅薄膜上的通孔连通形成完整的三维螺线管激励线圈与检测线圈。
3.如权利要求1所述的磁通门传感器芯片，其特征在于，所述硅微槽阵列的微槽宽度及间隙均与所述底层线圈的通电导线宽度及间隙相等，微槽深度与所述底层线圈的厚度相等。
4.如权利要求1所述的磁通门传感器芯片，其特征在于，所述磁芯为磁控溅射软磁薄膜，厚度为1μm。
5.如权利要求1所述的磁通门传感器芯片，其特征在于，所述激励线圈和所述检测线圈的材料为电镀铜。
6.如权利要求2所述的磁通门传感器芯片，其特征在于，所述通孔形状为正方形，通孔的深度为2μm。
7.如权利要求1所述的磁通门传感器芯片，其特征在于，所述底层线圈和所述顶层线圈的通电导线的材料为电铸铜。
8.如权利要求7所述的磁通门传感器芯片，其特征在于，所述通电导线厚度为20μm。
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