[发明专利]平面型金属氧化物半导体场效应管及其制造方法在审
| 申请号： | 201611006302.5 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN106571397A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 张瞾;康剑;任炜强 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 金属 氧化物 半导体 场效应 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳深爱半导体股份有限公司，未经深圳深爱半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611006302.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：加工颗粒
- 下一篇：由源自多能干细胞的细胞形成的神经网络
- 同类专利
- 专利分类
