[发明专利]一种环氧树脂组合物及其应用

说明书

本发明涉及化学组合物领域，公开了一种环氧树脂组合物及其应用，所述环氧树脂组合物含有6‑10重量％的环氧树脂，4‑7重量％的酸酐，79‑86重量％无机填料，1‑1.5重量％的阻燃剂，0.05‑0.1重量％的固化促进剂，0.4‑0.6重量％的无机离子捕捉剂，0.4‑0.6重量％的硅烷偶联剂，0.8‑1重量％的低应力改性剂；其中，所述环氧树脂为双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、线性酚醛环氧树脂、联苯型环氧树脂、开链脂肪族环氧树脂、脂环族环氧树脂和杂环型环氧树脂中的至少一种。所述环氧树脂组合物具有较高的玻璃化转变温度(Tg)，可靠性高，并且还具有较好的流动性和阻燃性。

技术领域

本发明涉及化学组合物领域，具体地，涉及一种环氧树脂组合物及其应用。

背景技术

在半导体器件的应用方面，随着碳化硅生产成本的降低，且由于碳化硅优良的性能，其可能取代硅作为芯片，打破硅芯片由于材料本身性能的瓶颈，将给电子业带来革命性的变革。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅不但击穿电场强度高，热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点，可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件，应用于硅器件难以胜任的场合，或在一般应用中产生硅器件难以产生的效果[1]。碳化硅已成为全球半导体产业的前沿和制高点。作为新兴的战略先导产业，它是发展第三代半导体产业的关键基础材料[2]。应用于耐高温高频大功率器件的碳化硅芯片半导体，工作温度在220℃，而传统的环氧塑封料的玻璃化转变温度(Tg)难以满足要求。目前半导体碳化硅芯片封装基本使用金属和陶瓷封装，成本非常昂贵，难以在民用技术中推广，也限制了半导体器件的快速发展。

[1]《碳化硅电力电子器件研发进展与存在问题》陈治明(西安理工大学)；

[2]《碳化硅半导体技术及产业发转现状》刘兴昉陈宇(中国科学院半导体研究所)。

发明内容

本发明的目的是克服传统的环氧塑封料难以满足工作要求的缺陷，提供一种环氧树脂组合物及其应用。

为了实现上述目的，本发明提供一种环氧树脂组合物，其中，所述环氧树脂组合物含有6-10重量％的环氧树脂，4-7重量％的酸酐，79-86重量％无机填料，1-1.5重量％的阻燃剂，0.05-0.1重量％的固化促进剂，0.4-0.6重量％的无机离子捕捉剂，0.4-0.6重量％的硅烷偶联剂，0.8-1重量％的低应力改性剂；其中，所述环氧树脂为双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、线性酚醛环氧树脂、联苯型环氧树脂、开链脂肪族环氧树脂、脂环族环氧树脂和杂环型环氧树脂中的至少一种。

本发明还提供了所述环氧树脂组合物作为半导体碳化硅芯片封装材料的应用。

本发明所述环氧树脂组合物具有较高的玻璃化转变温度(Tg)，作为半导体碳化硅芯片封装材料时，可靠性高，并且本发明所述环氧树脂组合物还具有较好的流动性和阻燃性。

本发明的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

具体实施方式

以下对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。

在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。