[发明专利]半导体元件

说明书

技术领域

本揭露是关于一种半导体元件，特别是关于一种电阻。

背景技术

电阻可制造在与场效晶体管(field effect transistors；FETs)相同的基板上，以作为相同集成电路的一部分。电阻一般而言具有两个接触点，两接触点透过一个经掺杂的半导体材料隔开。掺杂浓度及型态，以及接触点的形状，包含接触点之间的距离等，皆对电阻的电阻值扮演着重要的角色。由于制程上的一些限制，要达成极低电阻值是具有相当难度的。

发明内容

本揭露的一实施例为一种半导体元件，包含一鳍、多个磊晶生长区，以及至少二接触点。鳍自基板向外延伸，且包含半导体材料。磊晶生长区沿着鳍的上表面配置，其中在鳍的上表面，磊晶生长区与不具有磊晶材料的多个区域交替排列。接触点配置于与鳍电接触，其中接触点之间的电阻值至少部分取决于磊晶生长区的排列。

附图说明

阅读以下详细叙述并搭配对应的附图，可了解本揭露的多个态样。应注意，根据业界中的标准做法，多个特征并非按比例绘制。事实上，多个特征的尺寸可任意增加或减少以利于讨论的清晰性。

图1为本揭露的一实施例的鳍式电阻的立体视图；

图2为本揭露的一实施例的鳍式电阻的上视图；

图3为本揭露的一实施例的具有虚设结构的鳍式电阻的上视图；

图4A至图4G为本揭露的一实施例的鳍式电阻的制造流程图；

图5为不同电阻的量测数据的图表；

图6为本揭露的一实施例的方法的流程图。

具体实施方式

以下揭露提供众多不同的实施例或范例，用于实施本案提供的主要内容的不同特征。下文描述一特定范例的组件及配置以简化本揭露。当然，此范例仅为示意性，且并不拟定限制。举例而言，以下描述“第一特征形成在第二特征的上方或之上”，于实施例中可包括第一特征与第二特征直接接触，且亦可包括在第一特征与第二特征之间形成额外特征使得第一特征及第二特征无直接接触。此外，本揭露可在各范例中重复使用元件符号及/或字母。此重复的目的在于简化及厘清，且其自身并不规定所讨论的各实施例及/或配置之间的关系。

此外，空间相对术语，诸如“下方(beneath)”、“以下(below)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等等在本文中用于简化描述，以描述如附图中所图示的一个元件或特征结构与另一元件或特征结构的关系。除了描绘图示的方位外，空间相对术语也包含元件在使用中或操作下的不同方位。此设备可以其他方式定向(旋转90度或处于其他方位上)，而本案中使用的空间相对描述词可相应地进行解释。

一般而言，最常见的场效晶体管(field effect transistors；FET)为金属氧化物半导体场效晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor；MOSFET)。就以往的状况而言，金属氧化物半导体场效晶体管为平面结构，且制造于基板(如：晶圆)的平坦表面上。然而近期半导体制造的发展已可使用垂直结构。

词汇“鳍式场效晶体管”(fin field effect transistor；FinFET)意味着场效晶体管是形成在鳍的上方，且鳍相对于晶圆的平坦的表面为垂直的配置。

词汇“磊晶层”(epitaxial layer)意味着单晶材料层或结构。同样地，词汇“磊晶生长”(epitaxially grown)意味着单晶材料层或结构。

词汇“接触点”(contact)意味着一种用于将导体电连接至其他内连接层的结构。上述的词汇有时候用于描述绝缘体内的一开口，以用于形成后续完成的结构。亦可用于描述完成的结构。本揭露的“接触点”代表已完成的结构，而“接触孔”(contact hole)则是用于描述在绝缘体内形成结构(如：接触点)的一个或多个开口。

本揭露的不同实施例提供一种在鳍结构内形成电阻的设计。鳍结构可为半导体材料，且自基板的表面向外垂直延伸。接触点的形成是用于电接触鳍结构且形成电阻的接触点。

于部分实施例中，电阻包含将接触点形成为磊晶生长材料的型态。这些电阻的电阻值取决于磊晶层的几何形状。由于控制磊晶材料的生长具有难度，故对于电阻值的控制将不容易。一种可能的方法为，将接触点的磊晶生长材料局限在极小的区域，以限制生长的变异性，然而此方法亦限制了所能达到的电阻值。