[发明专利]用于研磨晶片的装置

权利要求书

1.一种用于研磨一晶片的装置，包括：

一研磨头，具有一固定环，其中该研磨头被配置成将该晶片保持在该固定环内，且该固定环包括：

一第一环，具有一第一硬度；以及

一第二环，由该第一环所环绕，其中该第二环具有一第二硬度，该第二硬度小于该第一硬度一差值，该差值在萧氏D硬度等级大于30，其中当该第一环和该第二环被压抵于一研磨垫时，该第一环的底面和该第二环的底面为非共平面的。

2.如权利要求1所述的装置，其中，该固定环还包括由该第二环所环绕的一第三环，其中该第三环具有一第三硬度，小于该第二硬度，且当该第一环、该第二环和该第三环未被压抵于该研磨垫时，该第三环的底面与该第二环的底面及该第一环的底面大致呈共平面。

3.如权利要求1所述的装置，其中，当该第一环和该第二环未被压抵于该研磨垫时，该第一环的底面与该第二环的底面大致呈共平面。

4.如权利要求1所述的装置，其中，该装置还包括一可挠性薄膜，被配置成压制在该晶片上，其中当其被充气时，该可挠性薄膜被配置成压制在该晶片的整个上表面上。

5.如权利要求1所述的装置，其中，该第一环及该第二环的每一者具有一均一的厚度。

6.如权利要求1所述的装置，其中，该第一环及该第二环的每一者具有一厚度，该厚度介于该第一环及该第二环的总厚度的1/3与2/3之间的范围。

7.如权利要求1所述的装置，其中，该研磨头被配置成驱使该晶片绕着一第一轴旋转，且该装置还包括：

一研磨垫，被配置成绕着一第二轴转动；以及

一研磨液分配器，其中该研磨液分配器在该研磨垫上方具有一出口。

8.如权利要求1所述的装置，其中，该固定环的内径大于该晶片的直径2毫米。

9.一种用于研磨一晶片的装置，包括：

一研磨头，包括：

一可挠性薄膜，被配置成可被充气及放气，其中当被充气时，该可挠性薄膜被配置成压制该晶片的整个上表面，其中该研磨头更具有一固定环，包括一第一环以及一第二环，其中该第二环由该第一环所环绕，且该第一环和该第二环直接连接一晶片承载组件的一下表面，其中该第一环具有一第一硬度，该第二环具有一第二硬度，该第二硬度小于该第一硬度，且当该第一环和该第二环被压抵于一研磨垫时，该第一环的底面和该第二环的底面为非共平面的。

10.如权利要求9所述的装置，其中，该可挠性薄膜被配置成施加一第一力于该晶片的中心，且同时施加一第二力于该晶片的上表面与该晶片的边缘之间的介面，其中该第一力大致相等于该第二力。

11.如权利要求10所述的装置，其中，该晶片的边缘为弧状，且该可挠性薄膜更被配置成施加一力于该弧状边缘的弧状上表面部分。

12.如权利要求9所述的装置，其中，该可挠性薄膜包括多个区域，被配置成可被充气而具有不同的压力。

13.如权利要求9所述的装置，其中，该可挠性薄膜延伸超过该晶片的边缘。

14.如权利要求9所述的装置，当该第一环和该第二环未被压抵于该研磨垫时，该第一环的底面与该第二环的底面大致呈共平面。

15.如权利要求14所述的装置，其中，该第一环及该第二环的每一者具有一厚度，该厚度介于该第一环及该第二环的总厚度的1/3与2/3之间的范围。