[发明专利]一种用于碳化硅高温退火表面保护的碳膜快速制备方法在审
| 申请号： | 201611011362.6 | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN106653581A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 向安;李俊焘;代刚;徐星亮;肖承全;张林;周阳;杨英坤;张龙 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621900 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 碳化硅 高温 退火 表面 保护 快速 制备 方法 | ||
1.一种碳化硅高温退火表面保护碳膜的快速制备方法，其特征在于：碳化硅器件高温激活前，在碳化硅器件的正、反两面旋涂光敏抗蚀剂，低温烘烤去除光致抗蚀剂中的有机溶剂；通过快速热退火方法使光致抗蚀剂在无氧环境下热分解，形成均匀的碳膜；覆盖有碳膜的碳化硅器件在高温下进行退火激活杂质离子；杂质离子注入激活后，在纯氧气和高温环境下，去除碳化硅器件正、反两面的碳膜。
2.根据权利要求1所述的碳化硅高温退火表面保护碳膜的快速制备方法，其特征在于：所述碳化硅器件是PiN二极管，或者是结势垒肖特基二极管，或者是门极可关断晶闸管，或者是绝缘栅双极型晶体管。
3.根据权利要求1所述的碳化硅高温退火表面保护碳膜的快速制备方法，其特征在于：所述光致抗蚀剂是正性或者负性，低温烘烤的温度为90-110℃，烘烤时间2-5分钟。
4.根据权利要求1所述的碳化硅高温退火表面保护碳膜的快速制备方法，其特征在于：碳膜的具体制备工艺是：碳化硅器件正、反两面的光致抗蚀剂在700-900℃的快速热退火炉中发生热分解，热分解生成的碳在碳化硅器件表面形成均匀的碳膜；快速热退火炉中的快速热退火过程在标准大气压的氮气或者氩气保护环境进行。
5.根据权利要求1所述的碳化硅高温退火表面保护碳膜的快速制备方法，其特征在于：覆盖有碳膜的碳化硅器件在1600-1800℃高温下进行退火激活杂质离子的过程，是在真空或者氩气保护下进行。
6.根据权利要求1所述的碳化硅高温退火表面保护碳膜的快速制备方法，其特征在于：碳膜去除工艺是在800-1100℃的温度范围进行，在纯氧气环境下对碳膜进行氧化，完全去除碳化硅器件正、反两面的碳膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
