[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本公开实施例提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括鳍结构、第一栅极结构、第二栅极结构、源极/漏极区、源极/漏极接触、分隔物和接触源极/漏极接触的介层孔插塞和接触介层孔插塞的导线。鳍结构突出于隔绝绝缘层且以第一方向延伸。第一栅极结构和第二栅极结构，形成于鳍结构上方且以交叉于第一方向的第二方向延伸。源/漏极区设置于第一栅极结构和第二栅极结构之间。层间绝缘层设置于鳍结构、第一栅极结构、第二栅极结构和源/漏极区上方。源极/漏极接触层，设置于源/漏极区上。分隔物设置相邻于源极/漏极接触。第一栅极结构的末端、第二栅极结构的末端和源极/漏极接触的末端接触分隔物的相同面。

技术领域

本公开实施例涉及一种半导体装置及其制造方法，特别涉及一种位于源极/漏极区上方的自对准接触结构(self-align contact structure)及其制造方法。

背景技术

随着半导体元件尺寸的缩小，自对准接触(以下简称SAC)被广泛地使用于工艺中，例如配置接近于一场效晶体管(FET)的栅极结构的源极/漏极(S/D)接触。通常来说，利用图案化层间介电层(ILD)制造的自对准接触，在层间介电层下方，会于具有侧壁间隙壁的一栅极结构上方形成接触蚀刻停止层(contact etch-stop layer，CESL)。层间介电层的初始蚀刻会停止在接触蚀刻停止层，然后蚀刻接触蚀刻停止层以形成自对准接触。当元件密度增加时(意即缩小半导体元件尺寸)，侧壁间隙壁的厚度会变得更薄，其可能会导致源极/漏极(S/D)接触和栅极之间产生短路(short circuit)。并且，两个相邻的源极/漏极接触之间的间隔变得更窄。因此，有需要提供一种自对准接触结构(self-align contact structure)及其制造方法，以改善源极/漏极接触之间的电性隔绝。

发明内容

依据本公开一些实施例，提供一种半导体装置的制造方法。上述半导体装置的制造方法包括于一第一鳍结构的一部分和一第二鳍结构的一部分上方形成一第一栅极结构和一第二栅极结构，上述第一鳍结构的上述部分和上述第二鳍结构的上述部分设置一基板上方，以一第一方向延伸，以交叉于上述第一方向的一第二方向配置，上述第一鳍结构的上述部分和上述第二鳍结构的上述部分彼此平行且突出于一隔绝绝缘层。上述第一栅极结构和上述第二栅极结构以上述第二方向延伸且以上述第一方向配置，上述第一栅极结构和上述第二栅极结构彼此平行。于上述第一栅极结构和上述第二栅极结构上方形成一层间绝缘层。于上述层间绝缘层上方形成具有一第一开口的一第一掩模层。上述第一开口位于上述第一栅极结构和上述第二栅极结构上方。穿过上述第一开口切割上述第一栅极结构和上述第二栅极结构，且穿过上述第一开口蚀刻设置上述第一栅极结构和上述第二栅极结构之间的上述隔绝绝缘层和上述层间介电层，以形成一第一凹陷。于上述第一凹陷中形成一绝缘层。形成具有一第二开口的一第二掩模层以暴露位于上述第一凹陷中的上述绝缘层的一部分和上述层间介电层的一部分。上述第二开口位于上述第一鳍结构上方。穿过上述第二开口蚀刻上述层间介电层的上述暴露部分，以于上述第一鳍结构上方形成至少一个第二凹陷。于至少上述个第二凹陷中形成一导电材料，以形成一第一源极/漏极接触层。