[发明专利]用于处理多晶硅副产渣浆的装置和工艺有效
申请号: | 201611019946.8 | 申请日: | 2016-11-18 |
公开(公告)号: | CN108069428B | 公开(公告)日: | 2023-10-10 |
发明(设计)人: | 吴德智 | 申请(专利权)人: | 江苏中能硅业科技发展有限公司 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107;B01J19/14;B01J19/24;B01J4/00 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 肖明芳 |
地址: | 221004 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 多晶 硅副产渣浆 装置 工艺 | ||
1.一种用于处理多晶硅副产渣浆的装置,其特征在于,包括浆态床反应器(2),所述的浆态床反应器(2)外壁设置有渣浆进料口和HCl原料进料口,所述浆态床反应器(2)底部通过管道连通废料罐(9),所述的浆态床反应器(2)顶部通过管道与带有第一换热器的第一储罐(5)连通,所述浆态床反应器(2)外部设有换热装置(10)。
2.根据权利要求1所述的用于处理多晶硅副产渣浆的装置,其特征在于,所述的浆态床反应器(2)内部靠顶端位置设有除沫器(7);所述换热装置(10)为夹套或盘管。
3.根据权利要求1所述的用于处理多晶硅副产渣浆的装置,其特征在于,所述的渣浆进料口为1~5个,所述的HCl原料进料口为1~5个,且保证至少有一个渣浆进料口位于其它渣浆进料口和所有HCl原料进料口的上端,同时保证至少有一个HCl原料进料口位于其它HCl进料口和所有渣浆进料口的下端。
4.根据权利要求3所述的用于处理多晶硅副产渣浆的装置,其特征在于,至少有一个HCl原料进料口设置在所述浆态床反应器(2)底部。
5.根据权利要求1所述的用于处理多晶硅副产渣浆的装置,其特征在于,所述的带有第一换热器的第一储罐(5),其第一换热器顶部通过管道连接尾气处理装置。
6.根据权利要求5所述的用于处理多晶硅副产渣浆的装置,其特征在于,所述的带有第一换热器的第一储罐(5),其第一换热器顶部通过管道与压缩机(8)连通再回流至HCl原料进料口。
7.根据权利要求1或5或6所述的用于处理多晶硅副产渣浆的装置,其特征在于,所述的带有第一换热器的第一储罐(5)前置第二换热器(6)。
8.根据权利要求1或3所述的用于处理多晶硅副产渣浆的装置,其特征在于,至少有一个渣浆进料口通过管道与闪蒸塔(1)底部连通,闪蒸塔(1)顶部通过管道与带有第三换热器的第二储罐(3)连通,其第三换热器顶部通过管道与尾气处理装置连通,闪蒸塔(1)上方通过管道收集氯硅烷液体,闪蒸塔(1)下方设有原料进料口。
9.根据权利要求8所述的用于处理多晶硅副产渣浆的装置,其特征在于,所述的闪蒸塔(1)用闪蒸罐替换。
10.根据权利要求9所述的用于处理多晶硅副产渣浆的装置,其特征在于,所述的带有第三换热器的第二储罐(3)前置第四换热器(4)。
11.根据权利要求1或3所述的用于处理多晶硅副产渣浆的装置,其特征在于,至少有一个渣浆进料口通过管道与蒸发器或转鼓过滤器连通。
12.利用权利要求1所述的装置处理多晶硅副产渣浆的工艺,其特征在于,将催化剂、和多晶硅生产过程中渣浆、和/或冷氢化检修退料硅粉通入渣浆进料口,将HCl原料同时通入HCl原料进料口,通过向换热装置中循环通入冷却介质控制浆态床反应器的温度,反应得到的氯硅烷气体通过浆态床反应器顶部管道进入带有第一换热器的第一储罐经冷凝为液态硅烷收集,不凝气体通过管道放空处理,反应后的废料沉积在浆态床反应器底部,定期排出至废料罐。
13.根据权利要求12所述的用于处理多晶硅副产渣浆的工艺,其特征在于,所述的催化剂为氯化铜、氯化亚铜、氯化铝和氯化锡中的一种或多种。
14.根据权利要求12所述的用于处理多晶硅副产渣浆的工艺,其特征在于,多晶硅生产过程中渣浆预先经过蒸发器或转鼓过滤器处理。
15.根据权利要求12所述的用于处理多晶硅副产渣浆的工艺,其特征在于,多晶硅生产过程中渣浆预先经过闪蒸塔、或闪蒸罐处理。
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