[发明专利]一种贴片安规电容芯片材料及制备方法

说明书

本发明提供了一种贴片安规电容芯片材料，其包括以下重量百分比的组分：碳酸锶40‑50％；二氧化钛20‑25％；碳酸钙20‑25％；三氧化二铋5‑7％；填料3‑5％。本发明同时还提供了一种贴片安规电容芯片材料的制备方法。本发明可以有效地解决现有技术中贴片电容的芯片材料无法满足轻薄化后强度要求的技术问题。

技术领域

本发明涉及贴片电容技术领域，具体而言，涉及一种贴片安规电容芯片材料及制备方法。

背景技术

电容器是电子设备中被广泛应用的一种电子元件，根据材料的不同，目前所使用的电容器又包括了瓷质电容器、云母电容器、有机电容器和电解电容器等等。随着目前电子产品逐渐向着轻薄化的方向发展，传统的电容器已经逐渐无法适应这种趋势。主要原因在于传统的芯片材料强度只能满足普通厚度芯片的制造需要，当应用于薄型的贴片电容时，芯片需要做到更薄，这时候强度上就无法满足其需要，容易破裂，从而造成整体产品制造的失败，影响良率。

发明内容

鉴于此，本发明提供了一种贴片安规电容芯片材料及制备方法，旨在解决现有技术中贴片电容的芯片材料无法满足轻薄化后强度要求的技术问题。

为此，一方面，本发明提供了一种贴片安规电容芯片材料，其包括以下重量百分比的组分：

进一步地，上述一种贴片安规电容芯片材料包括以下重量百分比的组分：碳酸锶42-48％；二氧化钛21-24％；碳酸钙20-22％；三氧化二铋5.5-6.5％；填料3.5-4.5％。

进一步地，上述一种贴片安规电容芯片材料包括以下重量百分比的组分：碳酸锶44-48％；二氧化钛23-24％；碳酸钙20-21％；三氧化二铋5.5-6％；填料3.5-4％。

进一步地，上述一种贴片安规电容芯片材料包括以下重量百分比的组分：碳酸锶46.75％；二氧化钛23.38％；碳酸钙20.6％；三氧化二铋5.74％；填料3.53％。

另一方面，本发明提供了一种贴片安规电容芯片材料的制备方法，其包括以下步骤：

1)根据上述的配比进行拌料，形成制备原料；

2)将制备原料输入到成型装置进行成型，形成坯料；

3)将坯料进行烧制，并进行冷却；

4)完成制备。

进一步地，上述步骤3)中，通过多段式烧制装置进行烧制，多段式烧制装置内设置有多个温度由高至低排布的温度区，坯料通过输送装置在烧制装置内一边移动一边烧制并冷却。

进一步地，上述多个温度区中，最高温为900-1100℃，最低温为20-30℃。

本发明所提供的一种贴片安规电容芯片材料及制备方法，通过所述的配比及制备方法，使得所获得的芯片的强度和K值都获得提高，使得芯片可以适应小型化、轻薄化的制造需要，从而有效地解决现有技术中贴片电容的芯片材料无法满足轻薄化后强度要求的技术问题。

具体实施方式

下面将更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。