[发明专利]一种导电纳米线层，其图形化方法及应用

说明书

本发明提供导电纳米线层的图形化方法，包括如下步骤：将导电纳米线材料与图形化胶混合形成混合溶液，将所述混合溶液涂布在基底上后经固化成型，即得导电纳米线层。本发明提供的导电纳米线层只需要一步固化即可实现。与传统方法相比，不仅省去了刻蚀、剥离工艺，同时还提升了纳米导电材料与基板的粘附力，将该导电纳米线层用作有机电致发光器件的电极层时，器件的光线均匀，不会产生视觉光线不均匀问题或者其他光学缺陷。

技术领域

本发明属于有机电致发光器件技术领域，具体涉及一种导电纳米线层的图形化方法及包含该导电纳米线层的高分辨率的OLED器件。

背景技术

金属纳米线正在被广泛研究，其中，如何简单高效实现纳米线的图形化是热点之一。目前普遍的做法是：将金属纳米线材料采用成膜、光刻、刻蚀的工艺路线实现图形化。这样工艺相对复杂，带来工艺不稳定和成本的提升。

CN104966588A一种制备纳米级金属网格透明导电薄膜的方法，包括如下步骤：1)在一基板上形成一层金属薄膜；2)在所述的金属薄膜上涂覆一层紫外光敏感的光刻胶，其中光刻胶中随机均匀分散有纳米线，其中纳米线对紫外光不透明；3)平行紫外光照射光刻胶表面，纳米线遮盖区域下的光刻胶未被曝光，而未被纳米线遮盖区域下的光刻胶被曝光，显影后，光刻胶形成随机网格；4)刻蚀掉曝光区域的光刻胶和金属膜，得到纳米级随机排列的金属网格，其中金属网格线相互连接，形成透明的导电薄膜。由于金属薄膜与基板之间的粘附力差，在刻蚀过程中容易使金属膜与基板脱落；进一步地，该文献公开的方案采用多次成膜方式，本领域技术人员都知道，每多一次成膜工艺，就需要多一次刻蚀工艺，多一次剥离工艺，因此金属膜与基板脱落的可能性增大，成品率低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是现有技术中纳米导电材料图形化方法繁琐且容易导致金属层与基板脱落的问题，从而提供一种导电纳米线层的图形化方法，该方法是将导电纳米线材料与图形化胶光刻胶混合，只需要一步固化即可实现纳米线材料的图形化，且导电纳米线层与基板之间粘结力强，不易脱落。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

一种导电纳米线层的图形化方法，包括如下步骤：

将导电纳米线材料与图形化胶混合形成混合溶液，将所述混合溶液涂布在基底上后经固化成型，即得导电纳米线层。

具体地，所述的图形化胶为光刻胶，所述的图形化方法为：将导电纳米线材料与光刻胶均匀混合形成混合溶液，将所述混合溶液涂布在基底上后经曝光固化成型，显影即得导电纳米线层。

另一实施方式，所述的图形化胶为紫外固化胶，所述的图形化方法为：将导电纳米线材料与紫外固化胶均匀混合形成混合溶液，将所述混合溶液涂布在基底上后，再经紫外光照固化成型，即得导电纳米线层。

再一实施方式，所述的图形化胶为热固化胶，所述的图形化方法为：将导电纳米线材料与热固化胶均匀混合形成混合溶液，将所述混合溶液涂布在基底上后，再经加热固化成型，即得导电纳米线层。

所述导电纳米线材料为银纳米线、铜纳米线、合金纳米线或石墨烯中的一种或其中几种的混合物。

所述导电纳米线材料在混合溶液中的占比小于等于50wt％。

所述图形化胶的粘度大于100cps时，向所述混合溶液中添加稀释剂使所述混合溶液的粘度小于等于100cps。

所述的稀释剂为丙二醇单甲醚乙酸酯PGMEA。

一种由所述的图形化方法制备得到的导电纳米线层。

一种有机电致发光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的第一电极层、发光单元和第二电极层，其特征在于，所述的第一电极层和/或第二电极层为所述的导电纳米线层。

本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：