[发明专利]在基体的表面形成多种面形结构的方法有效
| 申请号： | 201611020535.0 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN108069387B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 顾佳烨;游家杰;邱鹏 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G02B3/00 |
| 代理公司： | 11535 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面形成 掩模图形 面形结构 刻蚀选择比 掩模材料 刻蚀 材料形成 申请 | ||
1.一种在基体的表面形成多种面形结构的方法，其特征在于，该方法包括：
在基体的表面形成至少两种掩模图形，不同种的掩模图形具有不同的表面形状，所述至少两种掩模图形在所述基体的表面沿平行于所述基体的表面的方向并列设置；以及
刻蚀所述至少两种掩模图形和所述基体的表面，以将所述至少两种掩模图形按照相应的刻蚀选择比转移到所述基体的表面，以在所述基体的表面形成由所述基体的材料形成的至少两种面形结构,
其中,在基体的表面形成至少两种掩模图形包括：
在所述基体的表面形成第一掩模材料层；
在所述第一掩模材料层表面形成热熔的第一光刻胶层，所述热熔的第一光刻胶层表面为曲面；
将所述热熔的第一光刻胶层图形化，形成第一光刻胶图形；
将所述第一光刻胶图形转移到所述第一掩模材料层，以形成第一掩模图形；
在所述基体的表面形成第二掩模材料层；
在所述第二掩模材料层表面形成热熔的第二光刻胶层，所述热熔的第二光刻胶层表面为曲面；
将所述热熔的第二光刻胶层图形化，形成第二光刻胶图形；以及
将所述第二光刻胶图形转移到所述第二掩模材料层，以形成第二掩模图形。
2.如权利要求1所述的在基体的表面形成多种面形结构的方法，其特征在于，在基体的表面形成至少两种掩模图形还包括：
在所述基体的表面形成热熔的第三光刻胶层。
3.如权利要求1所述的在基体的表面形成多种面形结构的方法，其特征在于，
所述第一掩模材料层的材料包括氮化硅或氧化硅，所述第二掩模材料层的材料包括氮化硅或氧化硅。
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