[发明专利]光刻方法

说明书

技术领域

本公开是关于一种光刻方法。

背景技术

在集成电路(IC)制造中，图案化光刻胶层用来将具有细小特征尺寸的设计图案从掩模转移至晶片。光刻胶为感光材料且可被光刻过程图案化。此外，光刻胶层提供对于蚀刻或离子植入的阻抗，因此需要足够的厚度。当IC技术持续地发展以产生更小的特征尺寸，例如缩小至32纳米、28纳米、20纳米或更小，厚度将因为阻抗的需求而无法再微缩化。足以涵盖更厚光刻胶的聚焦深度将降低影像分辨率。可使用多膜光刻胶以克服上述的挑战。然而，虽然各种此类多膜光刻胶通常已足以达到所欲之目的，但并非在每个方面都十分令人满意。

发明内容

本公开提供一种方法的各种实施例，以形成交联层，其可同时保护覆盖基底/层，且被移除时不会导致覆盖基底/层的损坏。在一实施例中，方法包括：形成交联层于基底上方；藉由使用辐射源以处理交联层，从而减少交联层的分子量；以及藉由使用一溶液以移除具有减少的分子量的交联层。

在另一实施例中，方法包括形成交联层于基底上方；形成图案化层于交联层上方；藉由使用图案化层作为掩模以图案化交联层及基底；藉由使用辐射源来处理交联层，从而减少交联层的分子量；以及藉由使用一溶液以移除具有减少的分子量的交联层。

在又一实施例中，方法包括：提供基底；形成交联层于基底上方，其中交联层与基底接触；形成图案化层于交联层上方；藉由使用图案化层作为掩模，以形成图案于交联层及基底中；藉由使用辐射源来处理交联层，以将交联层转变为具有减少的分子量的去交联层；以及藉由使用不会导致基底损坏的溶液以移除去交联层。

附图说明

以下将配合所附附图详述本公开的实施例，应注意的是，依照工业上的标准实施，以下附图并未按照比例绘制，事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸以便清楚表现出本公开的特征。而在说明书及附图中，除了特别说明外，同样或类似的元件将以类似的符号表示。

图1为根据本公开各种实施例，使用交联层来制造半导体装置的方法的流程图。

图2A、2B、2C、2D、2E、2F及2G为根据本公开一些实施例，例示性半导体结构在各个制造阶段的剖面图。

图3A及3B为根据本公开一些实施例，分别绘示经由处理的交联层及去交联层的图解实例。

图4A及4B为根据本公开一些实施例，分别绘示经由处理的交联层及去交联层的图解实例。

图5A及5B为根据本公开一些实施例，分别绘示经由处理的交联层及去交联层的图解实例。

其中，附图标记说明如下：

方法 100

操作 102

操作 104

操作 106

操作 108

操作 110

操作 112

操作 114

半导体装置 200

基底 202

可交联层 204

交联层 205

图案化层 206

处理 207

开口 208

处理 209

图案 210

聚合物主链 302

聚合物主链 304

光可裂解官能基 306

光可裂解键 306a

光可裂解键 306b

交联剂 308

片段 310

片段 312

片段 314

聚合物主链 402

聚合物主链 404

光可裂解交联剂 406

光可裂解键 406a

光可裂解键 406b

聚合物主链 410

聚合物主链 412

聚合物主链 414

聚合物主链 502

聚合物主链 504

光可裂解官能基 506

光可裂解键 506a

光可裂解键 506b

光可裂解官能基 507

光可裂解键 507a

光可裂解键 507b

交联剂 508

聚合物主链 510

聚合物主链 514

具体实施方式